Datasheet下载- 型号： DMP21D5UFB4-7B
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMP21D5UFB4-7B由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMP21D5UFB4-7B价格参考。Diodes Inc.DMP21D5UFB4-7B封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMP21D5UFB4-7B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMP21D5UFB4-7B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DMP21D5UFB4-7B 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特点，适用于多种电力电子应用场合。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理： DMP21D5UFB4-7B 可用于 DC-DC 转换器、开关模式电源（SMPS）、降压/升压转换器等电源管理系统中，作为主开关或同步整流器件，提供高效能的功率转换。 2. 负载开关： 由于其低导通电阻特性，这款 MOSFET 可用作负载开关，实现对电路中不同负载的快速开启和关闭，同时减少功耗和发热。 3. 电池保护与管理： 在便携式设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等）中，可用于电池充放电保护电路，防止过流、短路等情况发生。 4. 电机驱动： 在小型电机驱动应用中（如风扇、泵或消费类电子产品中的微型电机），可作为驱动开关，控制电机的启停和速度调节。 5. 信号切换： 在需要高频信号切换的应用中（如通信设备或数据传输系统），该 MOSFET 的快速开关特性可以满足高性能需求。 6. 汽车电子： 在汽车电子领域，例如车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）或辅助驾驶系统中，可用于各种开关和保护功能。 7. 工业自动化： 在工业控制设备中，可用于继电器替代、传感器接口或执行器驱动等场景，提高系统的可靠性和效率。 总结来说，DMP21D5UFB4-7B 凭借其优异的电气性能和紧凑的封装设计（UFQFN-7L），非常适合用于消费电子、通信设备、汽车电子以及工业自动化等领域中的高效功率管理和开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 700MA 3DFNMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 10K |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 700 mA |
| Id-连续漏极电流 | - 700 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMP21D5UFB4-7B- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMP21D5UFB4-7B |
| Pd-PowerDissipation | 0.46 W |
| Pd-功率耗散 | 460 mW |
| Qg-GateCharge | 0.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1 V |
| 上升时间 | 4.3 ns |
| 下降时间 | 19.2 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 46.1pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 500nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 970 毫欧 @ 100mA，5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006（1.0x0.6） |
| 其它名称 | DMP21D5UFB4-7BDICT |
| 典型关闭延迟时间 | 20.2 ns |
| 功率-最大值 | 460mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 封装/箱体 | X2-DFN1006-3 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 0.7 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 700mA （Ta） |
| 系列 | DMP21D |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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