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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI2319DS-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2319DS-T1-GE3价格参考¥2.33-¥3.87。VishaySI2319DS-T1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI2319DS-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI2319DS-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI2319DS-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,广泛应用于各种电力电子场景中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - DC-DC 转换器:SI2319DS-T1-GE3 可用作开关器件,在降压(Buck)、升压(Boost)或升降压(Buck-Boost)转换器中实现高效的电压调节。 - 负载开关:在便携式设备中,该 MOSFET 可用于动态控制电路的通断,以降低功耗并保护下游电路。 - 电池管理系统 (BMS):适用于锂电池或其他电池供电设备中的充放电控制。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机驱动应用中,SI2319DS-T1-GE3 可作为功率开关,控制电机的启停和速度调节。 3. 消费类电子产品 - 智能手机和平板电脑:用于充电接口的保护、电源分配以及音频放大器的开关控制。 - 笔记本电脑适配器:在多路输出适配器中,MOSFET 可用于隔离不同电压轨。 4. 汽车电子 - 车身控制模块 (BCM):用于车窗升降器、雨刷器等低功率负载的控制。 - LED 照明驱动:为汽车内外 LED 灯提供稳定的电流驱动。 5. 工业自动化 - 传感器接口:在工业控制系统中,用于信号隔离和功率传输。 - 继电器替代:利用其快速开关特性和低导通电阻特性,替代传统机械继电器。 6. 通信设备 - 网络交换机和路由器:用于电源分配和过流保护,确保系统稳定运行。 - 基站电源:在分布式电源架构中,作为功率级开关元件。 特性优势 - 低导通电阻 (Rds(on)):减少传导损耗,提高效率。 - 高开关频率支持:适合高频开关应用,如 SMPS 和 PWM 控制。 - 紧凑封装 (DFN1006-2A):节省 PCB 空间,适合小型化设计。 - 出色的热性能:有助于提高系统的可靠性和散热能力。 总之,SI2319DS-T1-GE3 凭借其高效、紧凑和可靠的特性,非常适合需要低功耗和高效率的各类电子应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SI2319DS-T1-GE3 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | TrenchFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 470pF @ 20V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 82 毫欧 @ 3A,10V |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
功率-最大值 | 750mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.3A (Ta) |