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  • 型号: SI2319DS-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI2319DS-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2319DS-T1-GE3价格参考¥2.33-¥3.87。VishaySI2319DS-T1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI2319DS-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI2319DS-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI2319DS-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,广泛应用于各种电力电子场景中。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   - DC-DC 转换器:SI2319DS-T1-GE3 可用作开关器件,在降压(Buck)、升压(Boost)或升降压(Buck-Boost)转换器中实现高效的电压调节。
   - 负载开关:在便携式设备中,该 MOSFET 可用于动态控制电路的通断,以降低功耗并保护下游电路。
   - 电池管理系统 (BMS):适用于锂电池或其他电池供电设备中的充放电控制。

 2. 电机驱动
   - 在小型直流电机或步进电机驱动应用中,SI2319DS-T1-GE3 可作为功率开关,控制电机的启停和速度调节。

 3. 消费类电子产品
   - 智能手机和平板电脑:用于充电接口的保护、电源分配以及音频放大器的开关控制。
   - 笔记本电脑适配器:在多路输出适配器中,MOSFET 可用于隔离不同电压轨。

 4. 汽车电子
   - 车身控制模块 (BCM):用于车窗升降器、雨刷器等低功率负载的控制。
   - LED 照明驱动:为汽车内外 LED 灯提供稳定的电流驱动。

 5. 工业自动化
   - 传感器接口:在工业控制系统中,用于信号隔离和功率传输。
   - 继电器替代:利用其快速开关特性和低导通电阻特性,替代传统机械继电器。

 6. 通信设备
   - 网络交换机和路由器:用于电源分配和过流保护,确保系统稳定运行。
   - 基站电源:在分布式电源架构中,作为功率级开关元件。

 特性优势
- 低导通电阻 (Rds(on)):减少传导损耗,提高效率。
- 高开关频率支持:适合高频开关应用,如 SMPS 和 PWM 控制。
- 紧凑封装 (DFN1006-2A):节省 PCB 空间,适合小型化设计。
- 出色的热性能:有助于提高系统的可靠性和散热能力。

总之,SI2319DS-T1-GE3 凭借其高效、紧凑和可靠的特性,非常适合需要低功耗和高效率的各类电子应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

品牌

Vishay Siliconix

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

SI2319DS-T1-GE3

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

TrenchFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

470pF @ 20V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

17nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

82 毫欧 @ 3A,10V

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

功率-最大值

750mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.3A (Ta)

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