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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFH60N50P3由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFH60N50P3价格参考。IXYSIXFH60N50P3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFH60N50P3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFH60N50P3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFH60N50P3是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):该型号的MOSFET具有高电压耐受能力(500V击穿电压),适合用于开关电源中的高频开关元件,能够有效控制功率转换效率和热损耗。 2. 电机驱动:由于其低导通电阻(Rds(on)约为0.6Ω)和快速开关特性,IXFH60N50P3适用于各类电机驱动电路,例如步进电机、直流无刷电机等,提供高效且稳定的电流控制。 3. 逆变器:在太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中,该器件可用于将直流电转换为交流电,支持高效的能量转换过程。 4. 负载切换与保护:在需要频繁切换负载或对电路进行过流保护的应用中,IXFH60N50P3可以作为开关元件,确保系统的稳定性和安全性。 5. 电池管理系统(BMS):在电动汽车、储能系统等领域,这款MOSFET可用于电池组的充放电管理,实现精准的电流控制和保护功能。 6. 工业自动化设备:如PLC(可编程逻辑控制器)、伺服控制系统等,IXFH60N50P3可用于信号放大、功率调节等功能模块。 7. 家电与消费电子:在一些高电压需求的家用电器(如空调压缩机、洗衣机等)中,该器件也可用于功率控制和驱动。 总结来说,IXFH60N50P3凭借其高压、低导通电阻及快速开关性能,广泛应用于电力电子领域的各种高效功率转换和控制场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 500V 60A TO247MOSFET 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 60 A |
Id-连续漏极电流 | 60 A |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFH60N50P3Polar3™ HiPerFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | IXFH60N50P3 |
Pd-PowerDissipation | 1040 W |
Pd-功率耗散 | 1040 W |
Qg-GateCharge | 96 nC |
Qg-栅极电荷 | 96 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 100 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
上升时间 | 16 ns |
下降时间 | 8 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 4mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6250pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 96nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 100 毫欧 @ 30A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-247AD (IXFH) |
功率-最大值 | 1040W |
包装 | 管件 |
商标 | IXYS |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 30 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 30 |
正向跨导-最小值 | 60 S, 35 S |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 60A (Tc) |
系列 | IXFH60N50 |
配置 | Single |