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  • 型号: NTD4858NAT4G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4858NAT4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4858NAT4G价格参考。ON SemiconductorNTD4858NAT4G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTD4858NAT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTD4858NAT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTD4858NAT4G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,属于晶体管中的MOSFET单管器件。该器件广泛应用于需要高效、低导通电阻和快速开关性能的电源管理系统中。

其典型应用场景包括:  
1. 电源管理:常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器中,作为主开关或同步整流器件,提升电源转换效率。  
2. 电机驱动:适用于小型电机控制电路,如家用电器、电动工具中的H桥或半桥驱动模块。  
3. 照明系统:在LED驱动电源中用于恒流控制和功率调节,支持高能效照明方案。  
4. 消费电子:广泛应用于笔记本电脑、显示器、充电器等设备的电源模块中。  
5. 工业控制:用于各类工业电源、继电器驱动和负载开关电路,具备良好的热稳定性和可靠性。

NTD4858NAT4G具有低栅极电荷、低导通电阻(RDS(on))和高耐用性等特点,适合高频开关操作。采用TO-252(D-Pak)封装,便于散热和PCB布局,适用于对空间和效率有要求的应用环境。此外,该器件符合RoHS环保标准,并具备无卤素设计,满足现代电子产品环保需求。

综上,NTD4858NAT4G是一款高性能、高可靠性的MOSFET,适用于多种中低功率电源和控制场景,尤其适合追求高效率与紧凑设计的电子系统。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 25V 11.2A DPAKMOSFET NFET 25V 73A 0.0062R DPAK

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

73 A

Id-连续漏极电流

73 A

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD4858NAT4G-

数据手册

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产品型号

NTD4858NAT4G

PCN过时产品

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Pd-PowerDissipation

2 W

Pd-功率耗散

2 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

5.2 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

5.2 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

25 V

Vds-漏源极击穿电压

25 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1563pF @ 12V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

19.2nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

6.2 毫欧 @ 30A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

功率-最大值

2W

包装

带卷 (TR)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

漏源极电压(Vdss)

25V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

11.2A (Ta), 73A (Tc)

配置

Single

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