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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4858NAT4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4858NAT4G价格参考。ON SemiconductorNTD4858NAT4G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTD4858NAT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTD4858NAT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD4858NAT4G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,属于晶体管中的MOSFET单管器件。该器件广泛应用于需要高效、低导通电阻和快速开关性能的电源管理系统中。 其典型应用场景包括: 1. 电源管理:常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器中,作为主开关或同步整流器件,提升电源转换效率。 2. 电机驱动:适用于小型电机控制电路,如家用电器、电动工具中的H桥或半桥驱动模块。 3. 照明系统:在LED驱动电源中用于恒流控制和功率调节,支持高能效照明方案。 4. 消费电子:广泛应用于笔记本电脑、显示器、充电器等设备的电源模块中。 5. 工业控制:用于各类工业电源、继电器驱动和负载开关电路,具备良好的热稳定性和可靠性。 NTD4858NAT4G具有低栅极电荷、低导通电阻(RDS(on))和高耐用性等特点,适合高频开关操作。采用TO-252(D-Pak)封装,便于散热和PCB布局,适用于对空间和效率有要求的应用环境。此外,该器件符合RoHS环保标准,并具备无卤素设计,满足现代电子产品环保需求。 综上,NTD4858NAT4G是一款高性能、高可靠性的MOSFET,适用于多种中低功率电源和控制场景,尤其适合追求高效率与紧凑设计的电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 11.2A DPAKMOSFET NFET 25V 73A 0.0062R DPAK |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 73 A |
| Id-连续漏极电流 | 73 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD4858NAT4G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTD4858NAT4G |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1563pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19.2nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6.2 毫欧 @ 30A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11.2A (Ta), 73A (Tc) |
| 配置 | Single |