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FDPF10N60NZ产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDPF10N60NZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDPF10N60NZ价格参考¥7.56-¥12.65。Fairchild SemiconductorFDPF10N60NZ封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 38W(Tc) TO-220F。您可以下载FDPF10N60NZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDPF10N60NZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDPF10N60NZ 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS):FDPF10N60NZ 的高电压耐受能力(600V 额定击穿电压)使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用。 - DC-DC 转换器:可用于降压或升压转换器中的主开关器件,提供高效的电力转换。 - 逆变器:在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中用作功率开关。 2. 电机控制 - 直流电机驱动:适用于工业自动化、家用电器和汽车电子中的直流电机驱动电路。 - 无刷直流电机 (BLDC) 控制:作为功率级的一部分,用于控制 BLDC 电机的相位切换。 3. 工业应用 - 固态继电器 (SSR):由于其低导通电阻和快速开关速度,可以替代传统机械继电器用于工业控制。 - 负载开关:在需要大电流负载切换的应用中,如工业设备、测试仪器等。 4. 汽车电子 - 车载电子系统:如电动窗、座椅调节、雨刷控制系统等。 - 电动车 (EV) 和混合动力车 (HEV):可用于电池管理系统 (BMS) 或辅助系统的功率开关。 5. 消费类电子产品 - 家电产品:如空调压缩机、冰箱压缩机、洗衣机等的功率控制。 - 充电器和适配器:用于高效能充电器的设计,支持快充功能。 6. 照明系统 - LED 驱动器:在高亮度 LED 照明中用作开关元件,实现恒流控制。 - 高压气体放电灯 (HID):用于启动和稳定 HID 灯的工作状态。 特性总结 - 高电压耐受能力:600V 额定值适合高压环境下的应用。 - 低导通电阻:有助于减少功率损耗,提高效率。 - 快速开关速度:降低开关损耗,适合高频应用。 - 高可靠性:经过严格的质量测试,能够在恶劣环境下稳定工作。 总之,FDPF10N60NZ 广泛应用于需要高效功率转换和控制的场景,尤其是在高压、高频和大电流条件下表现优异。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FMOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
Id-连续漏极电流 | 10 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDPF10N60NZUniFET-II™ |
数据手册 | |
产品型号 | FDPF10N60NZ |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 38 W |
Pd-功率耗散 | 38 W |
Qg-GateCharge | 23 nC |
Qg-栅极电荷 | 23 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 640 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 640 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
上升时间 | 50 ns |
下降时间 | 50 nS |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1475pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 750 毫欧 @ 5A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220F |
功率-最大值 | 38W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 2.270 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220FP-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 14 S |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10A (Tc) |
系列 | FDPF10N60 |