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  • 型号: FDPF10N60NZ
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDPF10N60NZ产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDPF10N60NZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDPF10N60NZ价格参考¥7.56-¥12.65。Fairchild SemiconductorFDPF10N60NZ封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 38W(Tc) TO-220F。您可以下载FDPF10N60NZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDPF10N60NZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDPF10N60NZ 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括但不限于以下领域:

 1. 电源管理
   - 开关电源 (SMPS):FDPF10N60NZ 的高电压耐受能力(600V 额定击穿电压)使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用。
   - DC-DC 转换器:可用于降压或升压转换器中的主开关器件,提供高效的电力转换。
   - 逆变器:在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中用作功率开关。

 2. 电机控制
   - 直流电机驱动:适用于工业自动化、家用电器和汽车电子中的直流电机驱动电路。
   - 无刷直流电机 (BLDC) 控制:作为功率级的一部分,用于控制 BLDC 电机的相位切换。

 3. 工业应用
   - 固态继电器 (SSR):由于其低导通电阻和快速开关速度,可以替代传统机械继电器用于工业控制。
   - 负载开关:在需要大电流负载切换的应用中,如工业设备、测试仪器等。

 4. 汽车电子
   - 车载电子系统:如电动窗、座椅调节、雨刷控制系统等。
   - 电动车 (EV) 和混合动力车 (HEV):可用于电池管理系统 (BMS) 或辅助系统的功率开关。

 5. 消费类电子产品
   - 家电产品:如空调压缩机、冰箱压缩机、洗衣机等的功率控制。
   - 充电器和适配器:用于高效能充电器的设计,支持快充功能。

 6. 照明系统
   - LED 驱动器:在高亮度 LED 照明中用作开关元件,实现恒流控制。
   - 高压气体放电灯 (HID):用于启动和稳定 HID 灯的工作状态。

 特性总结
- 高电压耐受能力:600V 额定值适合高压环境下的应用。
- 低导通电阻:有助于减少功率损耗,提高效率。
- 快速开关速度:降低开关损耗,适合高频应用。
- 高可靠性:经过严格的质量测试,能够在恶劣环境下稳定工作。

总之,FDPF10N60NZ 广泛应用于需要高效功率转换和控制的场景,尤其是在高压、高频和大电流条件下表现优异。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FMOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

10 A

Id-连续漏极电流

10 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDPF10N60NZUniFET-II™

数据手册

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产品型号

FDPF10N60NZ

PCN封装

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

38 W

Pd-功率耗散

38 W

Qg-GateCharge

23 nC

Qg-栅极电荷

23 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

640 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

640 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

5 V

上升时间

50 ns

下降时间

50 nS

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1475pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

30nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

750 毫欧 @ 5A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220F

功率-最大值

38W

包装

管件

单位重量

2.270 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3 整包

封装/箱体

TO-220FP-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

标准包装

50

正向跨导-最小值

14 S

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

10A (Tc)

系列

FDPF10N60

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