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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN10H170SFG-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN10H170SFG-7价格参考。Diodes Inc.DMN10H170SFG-7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DMN10H170SFG-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMN10H170SFG-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DMN10H170SFG-7 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其应用场景主要包括以下几个方面:
1. 电源管理
- DMN10H170SFG-7 具有低导通电阻(Rds(on))和高开关速度,非常适合用于各种电源管理应用,例如:
- 开关电源 (SMPS)
- DC-DC 转换器
- 降压/升压转换器
- 电池充电管理电路
2. 负载开关
- 该器件常被用作负载开关,用于控制电路中特定负载的通断。它能够快速响应并减少功耗,适用于:
- 移动设备(如智能手机、平板电脑)
- 可穿戴设备
- 物联网 (IoT) 设备
3. 电机驱动
- 在小型电机驱动应用中,DMN10H170SFG-7 可以作为功率级开关,用于控制电机的启动、停止和速度调节。常见于:
- 消费类电子产品中的风扇或泵
- 伺服电机控制
4. 信号切换
- 由于其低电容和快速开关特性,这款 MOSFET 可用于信号切换应用,例如:
- 音频信号切换
- 数据通信接口切换(如 USB、UART)
5. 保护电路
- DMN10H170SFG-7 的低导通电阻和高电流承载能力使其适合用作保护电路中的关键元件,例如:
- 过流保护
- 短路保护
- 逆向电池保护
6. 便携式设备
- 该型号的 MOSFET 因其小封装(如 SOT-23 或更小尺寸)和高效性能,广泛应用于便携式电子设备中,包括:
- 笔记本电脑适配器
- 智能音箱
- 无线耳机充电盒
总结
DMN10H170SFG-7 凭借其低导通电阻、高效率和紧凑封装,特别适合需要高性能和小型化设计的应用场景。它在消费电子、工业控制和通信设备等领域都有广泛的用途。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | DMN10H170SFG-7 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 870.7pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14.9nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 122 毫欧 @ 3.3A, 10V |
| 供应商器件封装 | PowerDI3333-8 |
| 其它名称 | DMN10H170SFG-7DITR |
| 功率-最大值 | 940mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | 8-PowerVQFN |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.9A (Ta), 8.5A (Tc) |