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Datasheet下载- 型号： IRFS38N20DPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IRFS38N20DPBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFS38N20DPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFS38N20DPBF价格参考。International RectifierIRFS38N20DPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 200V 43A（Tc） 3.8W（Ta），300W（Tc） D2PAK。您可以下载IRFS38N20DPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFS38N20DPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号 IRFS38N20DPBF 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于多种电力电子系统中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理系统：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器等，因其具备低导通电阻和高效率特性，有助于提升电源系统的整体能效。 2. 电机控制与驱动：在工业自动化设备、电动工具以及家电中的电机控制电路中，该MOSFET可实现高效、快速的开关操作。 3. 逆变器与UPS系统：用于不间断电源（UPS）或太阳能逆变器中，作为核心功率开关元件，支持高效的能量转换与稳定输出。 4. 汽车电子：符合AEC-Q101标准，适用于车载充电系统、车身控制模块及辅助电机驱动等场景，具备良好的可靠性和耐环境能力。 5. 照明系统：如LED驱动电源中，用于实现高效率的恒流/恒压控制。 该器件具有200V漏源电压、38A连续漏极电流能力，采用D²PAK封装，具备良好散热性能，适合高功率密度设计。同时其内置快速恢复体二极管，有利于降低开关损耗，提高系统稳定性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 43A D2PAKMOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 54mOhms 60nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 44 A |
| Id-连续漏极电流 | 44 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFS38N20DPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFS38N20DPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 320 W |
| Pd-功率耗散 | 320 W |
| Qg-GateCharge | 60 nC |
| Qg-栅极电荷 | 60 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 54 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 54 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 95 ns |
| 下降时间 | 47 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 91nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 54 毫欧 @ 26A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | Q3139980 |
| 典型关闭延迟时间 | 29 ns |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 功率耗散 | 320 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 54 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 60 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 200 V |
| 漏极连续电流 | 44 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 43A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfb_s_sl38n20d.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfb_s_sl38n20d.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 30 V |
