ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > BUZ31L H
Datasheet下载- 型号： BUZ31L H
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUZ31L H由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUZ31L H价格参考。InfineonBUZ31L H封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 200V 13.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO-220-3。您可以下载BUZ31L H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUZ31L H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的BUZ31L H是一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于FET（场效应晶体管）类别。该型号广泛应用于多种电力电子设备中，特别是在需要高效开关和低功耗的应用场景。 应用场景： 1. 电源管理： - BUZ31L H常用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器等电源管理系统中。其低导通电阻（Rds(on)）特性使得它在高电流应用中表现出色，能够有效减少功率损耗，提高效率。 2. 电机驱动： - 该MOSFET适用于小型电机驱动电路，如步进电机、无刷直流电机（BLDC）等。它能够快速响应并精确控制电机的启动、停止和速度调节，确保电机运行平稳且高效。 3. 逆变器和变频器： - 在太阳能逆变器和工业变频器中，BUZ31L H可以作为关键的开关元件，帮助实现高效的能量转换和频率调节。其优异的开关性能和耐压能力使其能够在高压环境下稳定工作。 4. 电池管理系统（BMS）： - 在电动汽车、储能系统等电池管理应用中，BUZ31L H可用于电池充放电控制、过流保护等功能。它能够快速切断电流路径，防止电池过充或过放，保障系统的安全性和可靠性。 5. 消费电子产品： - 在笔记本电脑、智能手机充电器、LED照明等消费类电子产品中，BUZ31L H凭借其紧凑的封装和高效的工作特性，成为理想的开关元件选择。 6. 工业自动化： - 在工业控制系统中，如PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口等，BUZ31L H可用于信号隔离和功率放大，确保系统的稳定性和响应速度。 7. 家电产品： - 在家用电器如空调、冰箱、洗衣机等中，BUZ31L H可用于风扇控制、压缩机驱动等场合，提供高效节能的解决方案。 总之，BUZ31L H凭借其出色的电气性能和广泛的适用性，在各种电力电子设备中扮演着重要角色，特别是在需要高效开关和低功耗的应用场景中表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3MOSFET N-Channel 200V Transistor |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 13.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 13.5 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BUZ31L HSIPMOS® |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/Buz31L+H_Rev+2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432219ca8f012230650a58450e |
| 产品型号 | BUZ31L H |
| Pd-PowerDissipation | 95 W |
| Pd-功率耗散 | 95 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 200 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 200 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 80 nS |
| 下降时间 | 65 nS |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 200 毫欧 @ 7A，5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
| 其它名称 | BUZ31LH |
| 典型关闭延迟时间 | 210 nS |
| 功率-最大值 | 95W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | OptiMOS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13.5A （Tc） |
| 系列 | BUZ31 |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | BUZ31LHXKSA1 SP000682996 |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
