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Datasheet下载- 型号： CSD19533KCS
- 制造商： Texas Instruments
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD19533KCS由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD19533KCS价格参考。Texas InstrumentsCSD19533KCS封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 100V 100A（Ta） 188W（Tc） TO-220-3。您可以下载CSD19533KCS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD19533KCS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD19533KCS 是由 Texas Instruments 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。该型号具有低导通电阻（RDS(on)）和高开关速度，适用于多种高效能电源管理和功率转换应用场景。以下是其主要应用场景： 1. DC-DC 转换器 CSD19533KCS 的低导通电阻特性使其非常适合用于 DC-DC 转换器中的同步整流或主开关。在降压、升压或升降压转换器中，它能够有效减少传导损耗，提高转换效率，特别适合需要高效率的便携式设备和电池供电系统。 2. 电机驱动 该器件可用于驱动小型直流电机或步进电机。其快速开关特性和低导通电阻有助于降低电机驱动电路中的功耗，同时提供可靠的开关性能，适用于消费电子、工业自动化和智能家居等领域的电机控制应用。 3. 负载开关 在电源管理系统中，CSD19533KCS 可作为负载开关使用，用于控制不同负载的电源通断。其低导通电阻确保了在大电流条件下也能保持较低的功耗，同时其快速响应能力有助于保护电路免受过流和短路的影响。 4. 电池保护 在电池管理系统中，该 MOSFET 可用于电池的充放电保护电路。通过精确控制电池的充放电路径，它可以防止电池过充、过放或短路，从而延长电池寿命并提高安全性。 5. LED 驱动 CSD19533KCS 还可以用于 LED 驱动电路，特别是在需要高效调光或恒流控制的应用中。其低导通电阻和快速开关特性有助于提高 LED 驱动电路的效率，减少发热，适用于汽车照明、背光显示和一般照明等领域。 6. 电源适配器 在电源适配器设计中，CSD19533KCS 可用于初级侧或次级侧的功率转换电路。其高效率和紧凑的封装使得它在小型化、高密度电源适配器中具有优势，能够满足现代电子产品对高效能和小尺寸的要求。 总之，CSD19533KCS 凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的场合，尤其适合对功耗和效率有较高要求的便携式设备和节能系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 86A TO220-3MOSFET 100V 8.7mOhm N-CH Pwr MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 86 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD19533KCSNexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD19533KCS |
| Pd-PowerDissipation | 188 W |
| Pd-功率耗散 | 188 W |
| Qg-GateCharge | 27 nC |
| Qg-栅极电荷 | 27 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 10.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 10.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.8 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.8 V |
| 上升时间 | 5 ns |
| 下降时间 | 2 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2670pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10.5 毫欧 @ 55A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | 296-37482-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 12 ns |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD19533KCS |
| 功率-最大值 | 188W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Texas Instruments |
| 商标名 | NexFET |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 115 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A（Ta） |
| 系列 | CSD19533KCS |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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