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Datasheet下载- 型号： FCP190N60E
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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- 要求：
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FCP190N60E产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FCP190N60E由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCP190N60E价格参考。Fairchild SemiconductorFCP190N60E封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 20.6A（Tc） 208W（Tc） TO-220-3。您可以下载FCP190N60E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FCP190N60E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的FCP190N60E是一款N沟道MOSFET晶体管，属于FET/MOSFET - 单类别的产品。这款器件的主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）： FCP190N60E适用于开关电源中的功率开关角色，能够高效地控制电压和电流的切换，适用于AC-DC或DC-DC转换器。 2. 电机驱动： 该MOSFET可应用于直流电机或步进电机的驱动电路中，作为开关元件控制电机的启停、转向和速度调节。 3. 逆变器： 在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，FCP190N60E可用于将直流电转换为交流电，提供高效的功率转换能力。 4. 负载开关： 用于需要快速开启和关闭高功率负载的场景，例如工业设备、家电或汽车电子系统中的负载管理。 5. 电池管理系统（BMS）： 在电池保护电路中，这款MOSFET可以用来控制充电和放电回路，确保电池的安全运行。 6. 电磁阀控制： FCP190N60E适合用作电磁阀的驱动开关，能够在工业自动化和家用电器中实现精准的流体控制。 7. 续流二极管替代： 在某些应用中，该MOSFET可以用作续流路径，取代传统的二极管以降低功耗并提高效率。 其主要特性（如600V的耐压能力、低导通电阻、高雪崩能力和快速开关速度）使其非常适合高压、高频和高效率的应用场合。这些特点使得FCP190N60E在工业、消费电子和汽车领域中具有广泛的应用潜力。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V TO220-3MOSFET 600V N-CHAN MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 20.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 20.6 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FCP190N60ESuperFETII® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FCP190N60E |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 208 W |
| Pd-功率耗散 | 208 W |
| Qg-GateCharge | 63 nC |
| Qg-栅极电荷 | 63 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 190 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 190 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| 上升时间 | 14 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3175pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 82nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 190 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 典型关闭延迟时间 | 101 ns |
| 功率-最大值 | 208W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 400 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-fcp-superfets/3080http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-semiconductor-superfet-mosfets/4170http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-cloud-systems-computing/4301 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20.6A （Tc） |
| 系列 | FCP190N60 |
