Datasheet下载- 型号： SIR670DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIR670DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR670DP-T1-GE3价格参考。VishaySIR670DP-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIR670DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIR670DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIR670DP-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，常用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流承载能力和优异的热稳定性，适合以下几种典型应用场景： 1. DC-DC 转换器：在同步整流降压或升压转换器中作为主开关元件，提升电源转换效率，广泛应用于通信设备、服务器电源及工业控制系统。 2. 负载开关与电源管理：用于控制电池供电系统中的负载切换，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携设备中的电源管理模块。 3. 电机驱动与马达控制：适用于无刷直流电机、步进电机等驱动电路，提供快速开关响应和良好的过载保护能力。 4. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）和小型逆变器中作为功率开关，实现交流电与直流电之间的高效转换。 5. 汽车电子系统：满足AEC-Q101标准，可用于车载充电系统、车身控制模块、LED照明驱动等场景，具备良好的抗温变与抗干扰能力。 SIR670DP-T1-GE3 采用节省空间的PowerPAK封装，便于散热设计，适用于高密度PCB布局，是高性能电源设计的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SIR670DP-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2815pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 63nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.8 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SIR670DP-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 56.8W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A （Tc） |
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