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产品简介:
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Vishay Siliconix 的 SI4346DY-T1-E3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,具有低导通电阻、高效率和良好热性能,适用于多种电源管理和功率控制应用。该器件广泛用于以下场景: 1. 电源管理:常用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等,提高电源转换效率并减小电路体积。 2. 电池供电设备:如笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携设备中,用于高效电源切换和节能控制。 3. 电机控制:适用于小型电机驱动电路,如无人机、电动工具、机器人等设备中的功率开关。 4. 负载开关与热插拔应用:在服务器、通信设备中作为高效率负载开关,实现对电源的快速控制与保护。 5. LED照明驱动:用于LED背光或照明系统的开关控制,提供稳定电流与高效能。 该MOSFET采用小型封装(如TSOP),适合高密度PCB布局,具备良好的热稳定性,适用于中低功率应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 5.9A 8-SOICMOSFET 30V 8.0A 2.5W 23mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5.9 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.9 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?72958 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4346DY-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4346DY-T1-E3SI4346DY-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.31 W |
| Pd-功率耗散 | 1.31 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 23 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 23 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 11 ns |
| 下降时间 | 11 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 23 毫欧 @ 8A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4346DY-T1-E3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 功率-最大值 | 1.31W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 23 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 5.9 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.9A (Ta) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI4346DY-E3 |