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IRFR7440PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR7440PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR7440PBF价格参考。International RectifierIRFR7440PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 40V 90A(Tc) 140W(Tc) D-Pak。您可以下载IRFR7440PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR7440PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFR7440PBF 是由 Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS) IRFR7440PBF 适用于各种开关电源设计,例如 AC-DC 或 DC-DC 转换器。其低导通电阻(Rds(on) = 25 mΩ @ Vgs = 10V)和高击穿电压(BVDSS = 600 V)使其能够高效处理高压和大电流应用。 2. 电机驱动 该器件可用于驱动中小功率电机,例如家用电器中的风扇、水泵或小型工业设备中的电机。其高耐压能力和低导通损耗有助于提高系统效率并降低热量产生。 3. 逆变器 在光伏逆变器或其他类型的逆变器中,IRFR7440PBF 可用作开关元件,实现直流到交流的转换。其快速开关特性和耐用性适合高频逆变应用。 4. 负载切换与保护 该 MOSFET 可用于负载切换电路,提供过流保护、短路保护等功能。其高可靠性和稳定性使其成为汽车电子、工业控制等领域中负载管理的理想选择。 5. 脉宽调制(PWM)控制器 在需要精确控制输出电压或电流的应用中,如 LED 驱动器或加热器控制系统,IRFR7440PBF 可作为 PWM 开关元件,实现高效的能量传输和调节。 6. 继电器替代方案 由于其快速响应时间和低功耗特性,IRFR7440PBF 可以替代传统机械继电器,用于需要频繁开关的场景,如照明系统或信号切换。 总结来说,IRFR7440PBF 的高击穿电压、低导通电阻和良好的热性能使其非常适合应用于高压、高频和高效率要求的场景,如开关电源、电机驱动、逆变器以及负载切换等。
| 参数 | 数值 | 
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement | 
| 描述 | MOSFET N CH 40V 90A DPAKMOSFET 40V, 90A, 2.5 mOhm 89 nC Qg, D-Pak | 
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 | 
| FET功能 | 标准 | 
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 | 
| Id-ContinuousDrainCurrent | 180 A | 
| Id-连续漏极电流 | 180 A | 
| 品牌 | International Rectifier | 
| 产品手册 | |
| 产品图片 | 
 | 
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | 
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR7440PBFHEXFET® | 
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR7440PBF | 
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 140 W | 
| Pd-功率耗散 | 140 W | 
| Qg-GateCharge | 134 nC | 
| Qg-栅极电荷 | 134 nC | 
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.4 mOhms | 
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.4 mOhms | 
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V | 
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V | 
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.9 V | 
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.9 V | 
| 上升时间 | 39 ns | 
| 下降时间 | 34 ns | 
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.9V @ 100µA | 
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4610pF @ 25V | 
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 134nC @ 10V | 
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.4 毫欧 @ 90A,10V | 
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 | 
| 产品种类 | MOSFET | 
| 供应商器件封装 | D-Pak | 
| 典型关闭延迟时间 | 51 ns | 
| 功率-最大值 | 140W | 
| 功率耗散 | 140 W | 
| 包装 | 管件 | 
| 商标 | International Rectifier | 
| 商标名 | StrongIRFET | 
| 安装类型 | 表面贴装 | 
| 安装风格 | SMD/SMT | 
| 导通电阻 | 2.4 mOhms | 
| 封装 | Tube | 
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 
| 封装/箱体 | DPAK-2 | 
| 工厂包装数量 | 75 | 
| 晶体管极性 | N-Channel | 
| 最大工作温度 | + 175 C | 
| 最小工作温度 | - 55 C | 
| 栅极电荷Qg | 134 nC | 
| 标准包装 | 75 | 
| 正向跨导-最小值 | 280 S | 
| 汲极/源极击穿电压 | 40 V | 
| 漏极连续电流 | 180 A | 
| 漏源极电压(Vdss) | 40V | 
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 90A (Tc) | 
| 通道模式 | Enhancement | 
 
                                
                             
                                
                             
                                
                             
                                
                            