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- 型号： NTD4858N-1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4858N-1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4858N-1G价格参考。ON SemiconductorNTD4858N-1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD4858N-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD4858N-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD4858N-1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，属于单MOSFET器件，广泛应用于各类电源管理和功率开关场景。其主要应用场景包括： 1. 电源转换系统：适用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）等，因其低导通电阻（RDS(on)）和高效率特性，有助于降低功耗，提升能效。 2. 电机驱动：常用于小型直流电机或步进电机的控制电路中，作为开关元件实现启停与方向控制，具备良好的电流承载能力和快速响应性能。 3. 负载开关与电源管理：在电池供电设备（如便携式电子设备、工业控制模块）中用作负载开关，控制电源通断，防止浪涌电流，保护后级电路。 4. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）、逆变器等设备中用于功率切换，支持高频开关操作，提高系统动态响应能力。 5. 消费类与工业电子产品：适用于LED驱动、电源适配器、家电控制板等领域，满足高可靠性与稳定性的需求。 该器件采用先进的工艺技术，具有低栅极电荷、优良的热稳定性及坚固的封装（如DPAK），适合在较宽温度范围内稳定工作，是中等功率应用中的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD4858N-1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1563pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19.2nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.2 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11.2A （Ta）， 73A （Tc） |
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