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Datasheet下载- 型号： R6006ANDTL
- 制造商： ROHM Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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R6006ANDTL产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供R6006ANDTL由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 R6006ANDTL价格参考。ROHM SemiconductorR6006ANDTL封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 600V 6A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount CPT3。您可以下载R6006ANDTL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有R6006ANDTL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的R6006ANDTL是一款N沟道MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），广泛应用于中小功率电源管理与开关控制场景。该器件采用先进的制程技术，具备低导通电阻（RDS(on)）、高效率和良好的热稳定性，适合在紧凑型电子设备中实现高效能转换。 典型应用场景包括：便携式电子产品（如智能手机、平板电脑）中的电源开关与负载管理；电池供电设备（如移动电源、电动工具）中的充放电控制；LED驱动电路中作为恒流开关元件；以及各类消费类电器中的DC-DC转换器、电机驱动和继电器替代方案。此外，由于其封装小型化（如SOP-8或类似贴片封装），特别适用于空间受限且对散热性能有一定要求的高密度PCB设计。 R6006ANDTL还常用于工业控制模块、家用电器控制板和电源适配器中，承担高速开关任务，提升系统整体能效。其良好的栅极耐压能力和抗干扰特性，使其在复杂电磁环境中仍能稳定工作。总之，这款MOSFET凭借高可靠性与性价比，广泛服务于消费电子、工业自动化和绿色能源等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 6A CPT |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | R6006ANDTL |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 460pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.2 欧姆 @ 3A，10V |
| 供应商器件封装 | CPT3 |
| 其它名称 | R6006ANDTLTR |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Tc） |
