Datasheet下载- 型号： BSS84AKT,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSS84AKT,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS84AKT,115价格参考。NXP SemiconductorsBSS84AKT,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BSS84AKT,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSS84AKT,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为BSS84AKT,115的MOSFET属于P沟道增强型场效应晶体管，由NXP USA Inc.生产。它广泛应用于各种电子电路中，适合低电压、中等电流的开关场合。 主要应用场景包括： 1. 电源管理电路：用于电池供电设备中的电源开关控制，如笔记本电脑、平板电脑和便携式电子设备，实现高效节能。 2. 负载开关：在需要控制电源通断的电路中，作为高边或低边开关使用，例如驱动LED、小型电机或继电器。 3. 信号切换：适用于模拟或数字信号路径的切换，如音频开关、多路复用器等。 4. 接口电路：用于电平转换或隔离不同电压域之间的信号传输，常见于通信模块和嵌入式系统中。 5. 保护电路：作为过流保护、反向电压保护等电路中的关键开关元件。 该器件采用SOT-23小型封装，适合空间受限的设计，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和良好的热稳定性，工作温度范围宽，适合工业级应用需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 50V SC-75MOSFET P-CH -50 V -150 mA |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 150 mA |
| Id-连续漏极电流 | - 150 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BSS84AKT,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BSS84AKT,115 |
| Pd-PowerDissipation | 250 mW |
| Pd-功率耗散 | 250 mW |
| Qg-GateCharge | 0.35 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.35 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.5 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 50 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 50 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 36pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.35nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.5 欧姆 @ 100mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SC-75 |
| 其它名称 | 568-10473-2 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 封装/箱体 | SOT-416-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 150 mS |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 150mA （Ta） |
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