Datasheet下载- 型号： BSH202,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSH202,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSH202,215价格参考。NXP SemiconductorsBSH202,215封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BSH202,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSH202,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 BSH202,215 型号晶体管属于 FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管） - 单类型，广泛应用于多种电子设备和电路中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS)：BSH202,215 可用于开关电源中的功率开关，提供高效的电压转换。 - DC-DC 转换器：在 DC-DC 转换电路中作为开关元件，实现电压升高或降低。 - 负载开关：用于控制电路中负载的通断，确保设备在待机或关机时不会消耗过多电能。 2. 电机驱动 - 小型电机控制：适用于玩具、家用电器（如风扇、水泵）中的电机驱动，通过 PWM（脉宽调制）技术调节电机速度。 - H 桥电路：在双向电机控制中，MOSFET 是 H 桥电路的核心元件，用于改变电机的旋转方向。 3. 信号切换 - 信号路由：在多路复用器或多路分解器中，用于选择和切换不同的信号路径。 - 音频信号切换：在音频设备中，用于切换不同的输入或输出信号源。 4. 保护电路 - 过流保护：利用 MOSFET 的快速响应特性，检测并切断过大的电流，保护下游电路。 - 短路保护：在发生短路时迅速关闭电路，避免损坏其他元器件。 - ESD 保护：在某些设计中，MOSFET 可用于防止静电放电对敏感电路的损害。 5. 电池管理系统 (BMS) - 电池充放电控制：用于锂电池或其他可充电电池的充放电管理，确保电池工作在安全范围内。 - 电量监测：通过 MOSFET 的导通电阻测量电流，从而估算电池剩余电量。 6. 汽车电子 - 车载电子设备：如车窗升降器、雨刷器、座椅加热器等需要低功耗和高可靠性的应用。 - LED 照明驱动：在汽车 LED 灯具中，用于调节亮度和控制开关。 7. 消费类电子产品 - 智能手机和平板电脑：用于电源管理和信号切换。 - 笔记本电脑：在电池管理和散热系统中发挥作用。 - 智能家居设备：如智能灯泡、插座等，用于功率控制和信号处理。 总结 BSH202,215 型号 MOSFET 凭借其低导通电阻、高效率和可靠性，适合各种低功耗、高性能的应用场景。具体使用时需根据实际电路需求选择合适的驱动电压、电流承载能力和散热设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 520MA SOT23MOSFET TAPE7 MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 520 mA |
| Id-连续漏极电流 | 520 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BSH202,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BSH202,215 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 417 mW |
| Pd-功率耗散 | 417 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 630 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 630 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 4.5 ns |
| 下降时间 | 4.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.9V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 80pF @ 24V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.9nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 900 毫欧 @ 280mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-8026-2 |
| 典型关闭延迟时间 | 45 ns |
| 功率-最大值 | 417mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 630 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 520 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 520mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | BSH202 T/R |
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