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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7322D1TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7322D1TRPBF价格参考。International RectifierIRF7322D1TRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF7322D1TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7322D1TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRF7322D1TRPBF的MOSFET,属于N沟道功率MOSFET,常用于高效能电源管理和功率转换应用。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:广泛应用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关,适用于计算机主板、电源供应器(PSU)及工业电源设备,以实现高效能与小型化设计。 2. 电机控制:在电动工具、无刷直流电机(BLDC)和步进电机驱动中,用于功率开关控制,具备快速开关能力和低导通电阻,提升系统效率。 3. 电池管理系统(BMS):用于电池充放电保护电路中,控制高电流通断,保障电池组安全运行,常见于电动车辆、储能系统和便携式高功率设备。 4. 汽车电子:符合AEC-Q101标准,适用于汽车环境中的高可靠性需求,如车身控制模块、车载充电系统、LED照明驱动等。 5. 负载开关与电源分配:作为高侧或低侧开关,用于智能电源分配系统,支持热插拔功能,防止过流与短路损坏。 该MOSFET采用TSDSO-8封装,具备低导通电阻、高电流承载能力和优良的热性能,适合高频开关应用,是工业、汽车及消费类电子中常用的功率器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOICMOSFET MOSFT PCh w/Schttky -5.3A 62mOhm 19nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 二极管(隔离式) |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 5.3 A |
| Id-连续漏极电流 | - 5.3 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7322D1TRPBFFETKY™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7322D1TRPBF |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Qg-GateCharge | 19 nC |
| Qg-栅极电荷 | 19 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 62 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 62 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 700mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 780pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 62 毫欧 @ 2.9A,4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | IRF7322D1PBFDKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.3A (Ta) |
| 配置 | Single with Schottky Diode |