Datasheet下载- 型号： SIHB30N60E-E3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIHB30N60E-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHB30N60E-E3价格参考。VishaySIHB30N60E-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIHB30N60E-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIHB30N60E-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIHB30N60E-E3 是一款 N 沟道高压功率 MOSFET，具有 600V 耐压和 30A 连续漏极电流能力，适用于高效率、高频率的开关电源应用。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于工业电源、服务器电源、通信电源等 AC-DC 和 DC-DC 转换器中，尤其适合 PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑（如反激、正激、半桥等），可提升能效并减小系统体积。 2. 照明电源：适用于 HID 灯、LED 驱动电源等高电压照明系统，支持稳定启动与高效运行。 3. 电机驱动：可用于中小型交流或直流电机控制，如家电变频器、工业电机控制模块，在高频开关下实现低损耗运行。 4. 光伏逆变器：在太阳能发电系统中的 DC-AC 逆变电路中作为关键开关元件，有助于提高能量转换效率。 5. 充电设备：应用于电动汽车充电桩、工业充电模块等高功率场合，具备良好的热稳定性和可靠性。 SIHB30N60E-E3 采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、优异的开关性能和抗雪崩能力，同时符合 RoHS 标准，适合对能效和可靠性要求较高的工业与消费类电子设备。其封装形式便于散热设计，适用于紧凑型高功率密度系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SIHB30N60E-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2600pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 130nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 125 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK （TO-263） |
| 功率-最大值 | 250W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 29A （Tc） |
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