Datasheet下载- 型号： SSR1N60BTM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SSR1N60BTM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSR1N60BTM价格参考。Fairchild SemiconductorSSR1N60BTM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SSR1N60BTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SSR1N60BTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SSR1N60BTM 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET）类别。该器件具有600V的漏源击穿电压和1.2A的连续漏极电流能力，采用TO-92封装，适用于低功耗、高效率的开关应用。 该型号广泛应用于以下场景： 1. 电源管理：如AC/DC电源适配器、充电器、开关电源（SMPS）中，作为主开关或同步整流元件，提高转换效率。 2. 照明系统：在LED驱动电路中用于调光控制或作为恒流源开关，具备良好的热稳定性和响应速度。 3. 电机控制：用于小型直流电机、步进电机的驱动电路中，实现快速开关和过载保护。 4. 工业自动化：作为固态继电器（SSR）的核心元件，用于工业控制系统中对交流负载的隔离与控制。 5. 消费电子产品：如智能家电、电动工具、自动售货机等设备中，承担电源开关或负载控制功能。 其优势在于高耐压、低导通电阻、快速开关特性及较高的可靠性，适合对空间和能效有要求的应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SSR1N60BTM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 215pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 12 欧姆 @ 450mA，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 900mA （Tc） |
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