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产品简介:
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IRFH5010TR2PBF是由Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的一款MOSFET晶体管,属于N沟道增强型场效应晶体管。该型号的应用场景广泛,主要适用于需要高效能、低功耗和高频率操作的电子设备中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理: IRFH5010TR2PBF常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电压调节模块(VRM)中,提供高效的功率转换和低导通电阻(Rds(on)),从而减少能量损耗。 2. 电机驱动: 该器件适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路,能够承受较高的电流负载并实现快速开关,确保电机运行平稳且效率高。 3. 电池管理系统(BMS): 在电池保护电路中,这款MOSFET可以用作开关元件,控制电池充放电过程中的电流流动,防止过充或过放。 4. 工业自动化与控制: 它可用于工业设备中的负载切换、信号放大以及各种控制电路,支持复杂的自动化系统运行。 5. 消费电子产品: 包括笔记本电脑适配器、智能手机充电器和其他便携式设备中,IRFH5010TR2PBF可以实现紧凑设计的同时保持高性能表现。 6. 通信设备: 在基站、路由器等通信设施中作为功率级组件使用,保证数据传输稳定性和设备长时间工作的可靠性。 7. 汽车电子: 虽然具体车规级认证需另行确认,但类似规格的产品可能应用于车载娱乐系统、电动助力转向系统(EPS)及照明控制等领域。 总之,IRFH5010TR2PBF凭借其优秀的电气特性,在众多需要高效功率处理和精确控制的场合都有出色表现。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 100V 13A 5X6 PQFN |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRFH5010TR2PBF |
PCN组件/产地 | |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 150µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4340pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 98nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9 毫欧 @ 50A,10V |
供应商器件封装 | PQFN(5x6) |
其它名称 | IRFH5010TR2PBFDKR |
功率-最大值 | 3.6W |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-PowerVQFN |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 13A (Ta), 100A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfh5010pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfh5010pbf.spi |