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  • 型号: DMP2039UFDE4-7
  • 制造商: Diodes Inc.
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DMP2039UFDE4-7产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DMP2039UFDE4-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMP2039UFDE4-7价格参考。Diodes Inc.DMP2039UFDE4-7封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 25V 7.3A(Ta) 690mW(Ta) 6-DFN2020(2x2)。您可以下载DMP2039UFDE4-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMP2039UFDE4-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Diodes Incorporated的DMP2039UFDE4-7是一款P沟道增强型MOSFET,常用于需要高效功率管理的电路中。该器件适用于以下几种典型应用场景:

1. 电源管理:用于DC-DC转换器、负载开关和电源分配系统,实现高效能和低导通电阻的功率控制。

2. 电池供电设备:如笔记本电脑、平板电脑和移动电源等便携式电子产品中,作为电源开关或逆向电流保护元件。

3. 电机控制:在小型电机驱动电路中作为开关元件,控制电机的启停和方向。

4. 负载开关应用:用于控制高边或低边负载的开启与关闭,例如LED照明、风扇控制等。

5. 汽车电子:适用于车载电源系统、车身控制模块等对可靠性要求较高的环境中。

该MOSFET采用小型DFN封装,适合空间受限的设计,具备良好的热性能和快速开关特性,适用于高频率开关应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 25V 7.3A 6DFN

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

品牌

Diodes Incorporated

数据手册

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产品图片

产品型号

DMP2039UFDE4-7

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2530pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

28.2nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

26 毫欧 @ 6.4A,4.5V

供应商器件封装

6-DFN2020(2x2)

其它名称

DMP2039UFDE4-7DIDKR

功率-最大值

690mW

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

6-PowerXDFN

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

25V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

7.3A (Ta)

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