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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTF1N400由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTF1N400价格参考。IXYSIXTF1N400封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXTF1N400参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTF1N400 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTF1N400是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),常用于功率开关应用。该器件具有较高的耐压能力和良好的导通性能,适用于多种电源管理和功率控制场景。 其主要应用场景包括: 1. 电源转换器:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器中,用于高效能开关操作。 2. 电机驱动:在小型电机控制电路中作为功率开关,实现对电机启停与转速的控制。 3. 照明系统:如LED驱动电源中,用于调节电流或作为开关元件。 4. 电池管理系统:用于充放电控制电路中,实现对电池的安全管理。 5. 工业自动化设备:在PLC、继电器驱动模块等工业控制系统中作为电子开关使用。 该MOSFET具备较高的可靠性和耐用性,适合在中等功率应用中使用。设计时需注意其最大工作电压、电流及散热条件,以确保稳定运行。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 4000V 1A ISOPLUS I4 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | IXYS |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IXTF1N400 |
PCN过时产品 | http://ixapps.ixys.com/docs/PCN/USA2013-005-IXTF_-TH-4000V-devices.docx |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2530pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 78nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 60 欧姆 @ 500mA,10V |
供应商器件封装 | ISOPLUS i4-PAC™ |
其它名称 | Q5597315 |
功率-最大值 | 160W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | i4-Pac™-5(3 引线) |
标准包装 | 25 |
漏源极电压(Vdss) | 4000V(4kV) |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1A (Tc) |