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型号： BUK664R4-55C,118
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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BUK664R4-55C,118产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BUK664R4-55C,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK664R4-55C,118价格参考￥3.93-￥4.16。NXP SemiconductorsBUK664R4-55C,118封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 204W（Tc） D2PAK。您可以下载BUK664R4-55C,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK664R4-55C,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 的 BUK664R4-55C,118 是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效功率控制的电子系统中。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压（550V）以及良好的热稳定性和可靠性，适用于多种功率电子应用。

主要应用场景包括：

1. 电源转换器：如AC-DC、DC-DC转换器，用于电信设备、服务器电源、工业电源等；
2. 电机控制：用于工业自动化设备、电动工具、家用电器中的电机驱动电路；
3. 照明系统：如LED照明驱动电源，尤其适用于高效率、高稳定性的场合；
4. 消费类电子产品：如电视、音响、充电器等内部电源管理模块；
5. 新能源领域：如太阳能逆变器、储能系统中的功率开关元件；
6. 汽车电子：用于车载充电系统、DC-DC转换模块等符合汽车级可靠性要求的场景。

该MOSFET采用TSC封装，便于散热和安装，适合高密度PCB布局。其高性能和广泛适用性使其成为众多功率应用中的理想选择。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH TRENCH D2PACKMOSFET N-CHAN 55V 100A
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	100 A
Id-连续漏极电流	100 A
品牌	NXP Semiconductors
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	RoHS 合规性豁免含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK664R4-55C,118TrenchMOS™
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	BUK664R4-55C,118
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	204 W
Pd-功率耗散	204 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	4.4 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	4.4 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	55 V
Vds-漏源极击穿电压	55 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.8V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	7750pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	124nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	4.9 毫欧 @ 25A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	D2PAK
其它名称	568-7004-2 934064235118 BUK664R4-55C,118-ND BUK664R455C118
功率-最大值	204W
包装	带卷（TR）
商标	NXP Semiconductors
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	4.4 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
封装/箱体	D2PAK-2
工厂包装数量	800
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	800
汲极/源极击穿电压	55 V
漏极连续电流	100 A
漏源极电压(Vdss)	55V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	100A （Tmb）
配置	Single