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  • 型号: IRF7459TR
  • 制造商: International Rectifier
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7459TR由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7459TR价格参考。International RectifierIRF7459TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF7459TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7459TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRF7459TR的晶体管,属于MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)- 单个分类。它是一款双沟道(P沟道和N沟道)MOSFET,常用于需要高效、高集成度的电源管理应用中。

 主要应用场景包括:

1. 同步整流器:在DC-DC转换器中作为高效开关,提升电源转换效率。
2. 负载开关:用于控制电源到负载的通断,如便携式设备的电源管理。
3. 马达驱动:适用于小型马达或步进马达的控制电路。
4. 电池供电设备:如笔记本电脑、平板、智能手机等,用于提高能效和延长电池寿命。
5. 电源管理模块(PMIC)配套器件:用于多路电源控制和分配。
6. 电信和服务器电源系统:在高密度电源系统中提供高效能和小型化方案。

该器件采用TSON封装,体积小、导通电阻低,适合高效率、高功率密度的设计需求。其集成P/N沟道设计也减少了外围元件数量,提高了系统可靠性和设计灵活性。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

International Rectifier

数据手册

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产品图片

产品型号

IRF7459TR

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

HEXFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2480pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

35nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

9 毫欧 @ 12A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

供应商器件封装

8-SO

功率-最大值

2.5W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

标准包装

4,000

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

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