ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > 2N7002P,215
Datasheet下载- 型号： 2N7002P,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N7002P,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N7002P,215价格参考￥0.12-￥1.26。NXP Semiconductors2N7002P,215封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 360mA（Ta） 350mW（Ta） TO-236AB。您可以下载2N7002P,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N7002P,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 2N7002P,215 是一款N沟道增强型MOSFET，属于小信号MOSFET类别，广泛应用于低电压、低功率的开关和信号控制场合。其主要应用场景包括： 1. 电源管理开关：常用于便携式电子设备（如手机、平板、蓝牙耳机）中的负载开关或电源通断控制，实现对不同模块的供电管理，降低待机功耗。 2. 逻辑电平转换：在数字电路中，用于不同电压逻辑系统之间的信号电平转换，例如将3.3V信号转换为5V或反之，确保信号兼容性。 3. LED驱动与控制：适用于小型LED指示灯或背光控制电路，通过MOSFET作为开关实现LED的快速通断，提高效率并减少发热。 4. 接口保护与热插拔电路：用于防止电流冲击或短路保护，在USB接口、传感器模块等需要热插拔的场合中提供安全控制。 5. 消费类电子产品：广泛应用于家用电器、智能穿戴设备、遥控器等产品中的信号开关或继电器替代方案，因其体积小、响应快、驱动简单而受到青睐。 6. 工业控制与通信设备：在微控制器外围电路中用作驱动晶体管，控制继电器、蜂鸣器或其他低功率负载。 该器件采用SOT-23封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，具备良好的开关特性和可靠性，是成本敏感且空间受限设计中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH SGL 60V SOT-23MOSFET 60V 0.3A N-CHANNEL TRENCH MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 360 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors 2N7002P,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2N7002P,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 350 mW |
| Pd-功率耗散 | 350 mW |
| Qg-GateCharge | 0.6 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.6 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.3 Ohms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 4 ns |
| 下降时间 | 4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.6 欧姆 @ 500mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-5818-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 10 ns |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 1.3 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 360 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 360mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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