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  • 型号: IRF820PBF
  • 制造商: Vishay
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IRF820PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF820PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF820PBF价格参考。VishayIRF820PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 2.5A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRF820PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF820PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix的IRF820PBF是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于需要高效开关和功率管理的场景。以下是其主要应用场景:

1. 开关电源(SMPS):IRF820PBF适合用于开关电源中的功率开关,能够高效地控制电压和电流的转换,适用于适配器、充电器等设备。

2. 直流电机驱动:由于其低导通电阻和高开关速度,该MOSFET常用于直流电机的驱动电路中,提供稳定的电流输出并实现精确的速度控制。

3. 负载切换:在需要频繁切换负载的应用中,例如汽车电子或工业控制系统,IRF820PBF可以快速、可靠地切换负载状态,减少能量损耗。

4. 逆变器:在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,该器件可用于将直流电转换为交流电,支持高效的能源转换过程。

5. 电池管理系统(BMS):在电池保护和管理中,IRF820PBF可用于过流保护、短路保护以及电池充放电控制,确保系统的安全性和稳定性。

6. 音频功率放大器:在某些高保真音频应用中,该MOSFET可用作输出级器件,提供大电流驱动能力,同时保持较低的失真。

7. 脉宽调制(PWM)控制器:在LED驱动、风扇控制等PWM应用中,IRF820PBF可作为开关元件,实现精确的亮度调节或转速控制。

总之,IRF820PBF凭借其出色的电气性能和可靠性,适用于多种工业、消费类及汽车电子领域,尤其在需要高效功率转换和精密控制的场合表现优异。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220ABMOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

2.5 A

Id-连续漏极电流

2.5 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF820PBF-

数据手册

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产品型号

IRF820PBFIRF820PBF

Pd-PowerDissipation

50 W

Pd-功率耗散

50 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

3 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

3 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

500 V

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

8.6 ns

下降时间

16 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

360pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

24nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3 欧姆 @ 1.5A,10V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

*IRF820PBF

典型关闭延迟时间

33 ns

功率-最大值

50W

功率耗散

50 W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

3 Ohms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

500 V

漏极连续电流

2.5 A

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.5A (Tc)

系列

IRF/SIHF820

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 20 V

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