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IRF820PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF820PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF820PBF价格参考。VishayIRF820PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 2.5A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRF820PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF820PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRF820PBF是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于需要高效开关和功率管理的场景。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS):IRF820PBF适合用于开关电源中的功率开关,能够高效地控制电压和电流的转换,适用于适配器、充电器等设备。 2. 直流电机驱动:由于其低导通电阻和高开关速度,该MOSFET常用于直流电机的驱动电路中,提供稳定的电流输出并实现精确的速度控制。 3. 负载切换:在需要频繁切换负载的应用中,例如汽车电子或工业控制系统,IRF820PBF可以快速、可靠地切换负载状态,减少能量损耗。 4. 逆变器:在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,该器件可用于将直流电转换为交流电,支持高效的能源转换过程。 5. 电池管理系统(BMS):在电池保护和管理中,IRF820PBF可用于过流保护、短路保护以及电池充放电控制,确保系统的安全性和稳定性。 6. 音频功率放大器:在某些高保真音频应用中,该MOSFET可用作输出级器件,提供大电流驱动能力,同时保持较低的失真。 7. 脉宽调制(PWM)控制器:在LED驱动、风扇控制等PWM应用中,IRF820PBF可作为开关元件,实现精确的亮度调节或转速控制。 总之,IRF820PBF凭借其出色的电气性能和可靠性,适用于多种工业、消费类及汽车电子领域,尤其在需要高效功率转换和精密控制的场合表现优异。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220ABMOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 2.5 A |
Id-连续漏极电流 | 2.5 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF820PBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRF820PBFIRF820PBF |
Pd-PowerDissipation | 50 W |
Pd-功率耗散 | 50 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 3 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 3 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 8.6 ns |
下降时间 | 16 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 360pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3 欧姆 @ 1.5A,10V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | *IRF820PBF |
典型关闭延迟时间 | 33 ns |
功率-最大值 | 50W |
功率耗散 | 50 W |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 3 Ohms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 500 V |
漏极连续电流 | 2.5 A |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.5A (Tc) |
系列 | IRF/SIHF820 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |