【未分类_FQU2N50BTU】封装/厂家_FQU2N50BTU中文资料_价格

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型号： FQU2N50BTU
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FQU2N50BTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQU2N50BTU价格参考。Fairchild SemiconductorFQU2N50BTU封装/规格：未分类，暂无。您可以下载FQU2N50BTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQU2N50BTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQU2N50BTU 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。以下是该型号的一些典型应用场景：

 1. 开关电源 (SMPS)
   - FQU2N50BTU 的高电压耐受能力（额定 VDS = 500V）使其非常适合用于开关电源中的高压开关应用，例如反激式变换器、升压变换器和降压-升压变换器。
   - 它可以作为主开关器件，在高频条件下高效地控制电力传输。

 2. 电机驱动
   - 在小型直流电机驱动中，FQU2N50BTU 可用作功率开关，通过 PWM（脉宽调制）信号调节电机速度和方向。
   - 其低导通电阻特性有助于减少功耗，提高效率。

 3. 逆变器电路
   - 该 MOSFET 可用于太阳能逆变器或 UPS（不间断电源）系统中，将直流电转换为交流电。
   - 高击穿电压和良好的热性能确保其在高压环境下的稳定运行。

 4. 继电器替代
   - 在需要快速响应和长寿命的场景中，FQU2N50BTU 可以替代传统机械继电器，用于负载切换。
   - 例如，在汽车电子或工业自动化设备中，控制灯光、风扇或其他电气负载的开启和关闭。

 5. 电磁阀控制
   - 在工业控制系统中，FQU2N50BTU 可用于驱动电磁阀，实现流体控制。
   - 其高耐压能力和快速开关速度使其能够可靠地处理电磁阀的启动电流浪涌。

 6. 家用电器
   - 在家用电器（如洗衣机、空调、冰箱等）中，该 MOSFET 可用于压缩机驱动、风扇控制或其他高压电路部分。
   - 它的小封装尺寸（TO-277A）便于集成到紧凑的设计中。

 7. LED 驱动
   - 对于高功率 LED 照明应用，FQU2N50BTU 可用作恒流源的开关元件，提供稳定的电流输出。
   - 特别适合需要高压输入的 LED 驱动器设计。

 总结
FQU2N50BTU 的主要优势在于其高电压耐受能力、较低的导通电阻以及紧凑的封装形式，这使得它适用于多种高压、高频和高效能的应用场景。无论是消费电子产品、工业设备还是汽车电子领域，这款 MOSFET 都能提供可靠的性能支持。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	FQU2N50BTU
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	QFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3.7V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	230pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	8nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	5.3 欧姆 @ 800mA，10V
供应商器件封装	I-Pak
功率-最大值	2.5W
包装	管件
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
标准包装	5,040
漏源极电压(Vdss)	500V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	1.6A （Tc）