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产品简介:
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HUFA76429D3ST 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,主要用于需要高效能开关和功率控制的应用场景。该器件具备低导通电阻、高耐压和良好热性能的特点,适用于多种电源管理和功率电子系统。 其典型应用场景包括: 1. 电源转换器:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等,用于提高能量转换效率。 2. 电机驱动电路:在电动工具、电动车或工业自动化设备中作为开关元件,控制电机的启停与转速。 3. 负载开关:用于智能电源管理系统中,实现对不同负载的快速通断控制。 4. 电池管理系统(BMS):在储能设备或电动汽车中用于保护电池组,防止过流或短路损坏。 5. 照明系统:如LED驱动电路,用于调节亮度或实现调光功能。 6. 消费类电子产品:如笔记本电脑、平板电源管理模块中,提供高效的功率控制。 由于其封装小巧且性能稳定,HUFA76429D3ST也适合空间受限但要求高可靠性的应用场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 20A DPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | HUFA76429D3ST |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | UltraFET™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1480pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 46nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 23 毫欧 @ 20A,10V |
供应商器件封装 | D-Pak |
功率-最大值 | 110W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
标准包装 | 2,500 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 20A (Tc) |