图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: SI1417EDH-T1-E3
  • 制造商: Vishay
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

SI1417EDH-T1-E3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI1417EDH-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1417EDH-T1-E3价格参考。VishaySI1417EDH-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 12V 2.7A(Ta) 1W(Ta) SC-70-6(SOT-363)。您可以下载SI1417EDH-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI1417EDH-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI1417EDH-T1-E3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于需要高效功率控制和低导通电阻的场景。其主要应用场景包括:

1. 电源管理:适用于电池供电设备中的负载开关、电源转换器(如DC-DC转换器)和稳压电路,提升能效并延长电池寿命。

2. 电机控制:在小型电机驱动电路中作为开关元件,实现对电机启停及转速的精确控制。

3. LED照明:用于LED驱动电路中,实现恒流控制和调光功能,提高照明系统的稳定性和能效。

4. 工业自动化:广泛应用于PLC、传感器和执行器等工业设备中,提供可靠且快速的开关控制。

5. 消费电子:如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携设备中,用于电源管理和负载切换,满足小型化和低功耗需求。

该器件具备低导通电阻、高可靠性及小型封装,适合高密度电路设计,适用于中低功率应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6MOSFET 12V 3.3A 1.56W 85 mohms @ 4.5V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

2.7 A

Id-连续漏极电流

2.7 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI1417EDH-T1-E3TrenchFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

SI1417EDH-T1-E3SI1417EDH-T1-E3

Pd-PowerDissipation

1 W

Pd-功率耗散

1 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

160 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

160 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

12 V

Vds-漏源极击穿电压

- 12 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

上升时间

1400 ns

下降时间

1400 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

450mV @ 250µA (最小)

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

8nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

85 毫欧 @ 3.3A,4.5V

产品目录页面

点击此处下载产品Datasheet

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SC-70-6 (SOT-363)

其它名称

SI1417EDH-T1-E3TR
SI1417EDHT1E3

典型关闭延迟时间

4900 ns

功率-最大值

1W

包装

带卷 (TR)

商标

Vishay / Siliconix

商标名

TrenchFET

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SOT-363-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

12V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.7A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

SI1417EDH-E3

SI1417EDH-T1-E3 相关产品

STFW69N65M5

品牌:STMicroelectronics

价格:

IRLZ44Z

品牌:Infineon Technologies

价格:

DMN3050S-7

品牌:Diodes Incorporated

价格:

APT20M11JVR

品牌:Microsemi Corporation

价格:

FDB8443

品牌:ON Semiconductor

价格:

DN2450N8-G

品牌:Microchip Technology

价格:

AOD7N60

品牌:Alpha & Omega Semiconductor Inc.

价格:

IXTY1R4N120P

品牌:IXYS

价格: