Datasheet下载- 型号： SI4636DY-T1-E3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4636DY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4636DY-T1-E3价格参考。VishaySI4636DY-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4636DY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4636DY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4636DY-T1-E3 是一款P沟道增强型MOSFET，采用1.8V逻辑电平兼容设计，适用于低电压、高效率的电源管理场景。该器件常用于便携式电子设备中，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备，作为负载开关、电源开关或电池管理系统中的控制元件。其低导通电阻（RDS(on)）有助于减少功耗和发热，提高能效。 SI4636DY-T1-E3 还广泛应用于DC-DC转换器、电压调节模块（VRM）以及各类电源管理电路中，适合需要快速开关响应和高集成度的设计。由于其小尺寸封装（如PowerPAK SO-8），特别适合空间受限的高密度PCB布局。 此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和可靠性，可用于工业控制、通信设备和消费类电子产品中的信号切换与电源控制。总体而言，SI4636DY-T1-E3 以其高性能、低功耗和小型化优势，成为现代电子设备中理想的功率开关解决方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 17A 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4636DY-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2635pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.5 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 4.4W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 17A （Tc） |
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