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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMG3407SSN-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMG3407SSN-7价格参考。Diodes Inc.DMG3407SSN-7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DMG3407SSN-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMG3407SSN-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMG3407SSN-7是一款N沟道增强型MOSFET,采用超小型DFN1006-2(SOT1149)封装。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高开关速度和出色的热性能,适用于多种高效能、空间受限的应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 便携式电子设备 - DMG3407SSN-7因其小尺寸和低功耗特性,非常适合用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备(如智能手表和健身追踪器)等便携式电子产品中的电源管理电路。 - 应用包括负载开关、电池保护电路和DC-DC转换器。 2. 电源管理 - 作为负载开关或同步整流器的一部分,DMG3407SSN-7可用于低压降电源切换和高效能DC-DC转换器设计。 - 其低Rds(on)值有助于减少导通损耗,提高整体系统效率。 3. 电机驱动与控制 - 在小型直流电机驱动应用中,例如无人机ESC(电子调速器)、玩具电机和微型风扇,DMG3407SSN-7可以用作开关元件来控制电机的启停和速度。 4. 信号切换 - 在多路复用器或信号路由电路中,该MOSFET可以用作模拟开关,实现信号路径的选择和隔离。 5. 保护电路 - DMG3407SSN-7可用于过流保护、短路保护和反向电压保护电路,确保下游电路的安全运行。 6. 音频设备 - 在便携式音频设备(如蓝牙音箱或耳机放大器)中,该MOSFET可以用作音频信号的开关或电源管理元件。 特性总结 - 低导通电阻:典型值为1.8Ω(Vgs=4.5V),有助于降低功耗。 - 小尺寸封装:DFN1006-2封装仅1.0mm x 0.6mm,适合高密度设计。 - 高开关速度:支持高频应用,如开关电源和脉宽调制(PWM)电路。 综上所述,DMG3407SSN-7凭借其优异的电气特性和紧凑的封装形式,成为便携式设备、电源管理和信号切换等应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 4A SC59 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | DMG3407SSN-7 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 700pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 50 毫欧 @ 4.1A, 10V |
| 供应商器件封装 | SC-59 |
| 其它名称 | DMG3407SSN-7DI |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4A (Ta) |