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  • 型号: DMN2005UFG-13
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DMN2005UFG-13由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN2005UFG-13价格参考。Diodes Inc.DMN2005UFG-13封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DMN2005UFG-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMN2005UFG-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

DMN2005UFG-13 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。该型号具有低导通电阻(Rds(on))、小封装尺寸和高开关速度的特点,适用于多种电子电路设计场景。以下是其主要应用场景:

1. 电源管理  
   DMN2005UFG-13 适合用于各种电源管理应用,例如 DC-DC 转换器、负载开关和 LDO(低压差线性稳压器)。其低 Rds(on) 特性有助于减少导通损耗,提高系统效率。

2. 便携式设备  
   由于其小尺寸(采用 SOT363/SC-70 封装)和低功耗特性,该 MOSFET 常用于便携式电子设备,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网 (IoT) 设备中,以实现高效的电源切换和保护功能。

3. 电机驱动  
   在小型直流电机驱动应用中,DMN2005UFG-13 可作为开关元件,控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关能力和耐热性能确保了可靠运行。

4. 信号切换  
   该器件可用于音频、视频或其他信号切换电路中,提供低失真和低噪声的信号路径。其低电容和快速响应时间使其非常适合高频信号处理。

5. 保护电路  
   DMN2005UFG-13 可用于过流保护、短路保护和反向电池保护等电路中。通过快速检测异常情况并切断电流路径,它可以有效保护下游电路免受损坏。

6. 消费类电子产品  
   在充电器、USB 集线器和其他消费类电子产品中,该 MOSFET 能够实现高效的能量传输和精确的电流控制。

总之,DMN2005UFG-13 凭借其紧凑的设计、低导通电阻和出色的电气性能,成为许多低功率、高效率应用的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 20V 200MA POWERDI-8

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Diodes Incorporated

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

DMN2005UFG-13

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

*

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

*

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.6 毫欧 @ 13.5A,4.5V

供应商器件封装

PowerDI3333-8

其它名称

DMN2005UFG-13DIDKR

功率-最大值

1.05W

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-PowerVDFN

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

*

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