Datasheet下载- 型号： SIRA34DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIRA34DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIRA34DP-T1-GE3价格参考。VishaySIRA34DP-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIRA34DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIRA34DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIRA34DP-T1-GE3 是一款高性能P沟道增强型MOSFET，采用1.8mm × 1.4mm DFN1006封装，具有低导通电阻（RDS(on)）和高功率密度，适用于空间受限的便携式电子设备。其主要应用场景包括： 1. 移动设备电源管理：广泛用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池开关、负载开关和电源路径管理，因其低功耗和小封装优势，有助于延长电池续航并节省PCB空间。 2. DC-DC转换电路：在同步降压或升压转换器中作为高边或低边开关，配合N沟道MOSFET使用，提升电源转换效率。 3. 过压/过流保护电路：用于热插拔控制器或电源保护模块中，实现快速响应的电源切断功能，保护后级电路免受损坏。 4. 便携式消费类电子产品：如蓝牙耳机、智能手表、TWS耳机等对尺寸和功耗要求严苛的产品中，用于信号切换或电源控制。 5. 工业与汽车电子：适用于小型传感器模块、车载信息娱乐系统的电源管理单元，在宽温度范围（-55°C 至 +150°C）下稳定工作，具备良好的可靠性。 SIRA34DP-T1-GE3凭借其优异的电气性能和紧凑封装，特别适合高密度、高效率的电源设计需求，是现代低电压、低功耗系统中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8MOSFET 30V 6.7mOhm@10V 40A N-Ch G-IV |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 40 A |
| Id-连续漏极电流 | 40 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIRA34DP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIRA34DP-T1-GE3SIRA34DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 31.25 W |
| Pd-功率耗散 | 31.25 W |
| Qg-GateCharge | 8 nC |
| Qg-栅极电荷 | 8 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6.7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6.7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | + 20 V, - 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | + 20 V, - 16 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.1 V to 2.4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.1 V to 2.4 V |
| 上升时间 | 11 ns |
| 下降时间 | 6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1100pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.7 毫欧 @ 10A， 10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30392 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SIRA34DP-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 19 ns |
| 功率-最大值 | 31.25W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 52 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 40A （Tc） |
| 系列 | SIRAxxDP |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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