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IRFD014PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFD014PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFD014PBF价格参考。VishayIRFD014PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 60V 1.7A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP。您可以下载IRFD014PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFD014PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFD014PBF 是 Vishay Siliconix 公司生产的 N 沟道功率 MOSFET,其主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 开关电源 (SMPS) - IRFD014PBF 的低导通电阻(Rds(on))和高电流能力使其非常适合用于开关电源中的功率开关。它可以在高频条件下高效地切换电压和电流,从而减少能量损耗并提高电源转换效率。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机的驱动电路中,IRFD014PBF 可用作电子开关来控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关特性和低导通电阻有助于降低功耗并提高系统的可靠性。 3. DC-DC 转换器 - 在 DC-DC 转换器中,IRFD014PBF 可作为主开关或同步整流器使用。其低 Rds(on) 和快速开关速度能够有效减少传导损耗和开关损耗,从而提高转换效率。 4. 负载开关 - 在需要动态管理负载的应用中(如消费电子产品或工业设备),IRFD014PBF 可用作负载开关,以实现对不同负载的精确控制。它的低导通电阻可确保在负载切换时的低功耗。 5. 电池管理系统 (BMS) - 在电池管理系统中,IRFD014PBF 可用于保护电路,例如过流保护、短路保护或电池充放电控制。其高电流能力和低导通电阻可以有效减少电池路径上的能量损失。 6. 逆变器 - 在小型逆变器应用中,IRFD014PBF 可用于将直流电转换为交流电。它的高效开关性能和良好的热稳定性使其能够在逆变器中稳定运行。 7. LED 驱动 - 在大功率 LED 照明系统中,IRFD014PBF 可用于恒流驱动电路,以确保 LED 的亮度稳定且不受输入电压波动的影响。其低导通电阻有助于减少热量产生,提高系统效率。 8. 汽车电子 - 在汽车电子应用中(如车载充电器、电动窗控制或座椅加热器等),IRFD014PBF 的高可靠性和耐高温特性使其成为理想选择。 总结 IRFD014PBF 凭借其优异的电气特性和可靠性,广泛应用于各种功率转换和控制场景。无论是消费电子、工业设备还是汽车电子领域,这款 MOSFET 都能提供高效的功率管理和稳定的性能表现。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIPMOSFET N-Chan 60V 1.7 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 1.7 A |
Id-连续漏极电流 | 1.7 A |
品牌 | Vishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFD014PBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRFD014PBF |
Pd-PowerDissipation | 1300 mW |
Pd-功率耗散 | 1.3 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 200 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 200 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 50 ns |
下降时间 | 50 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 310pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 200 毫欧 @ 1A,10V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 4-DIP,Hexdip,HVMDIP |
其它名称 | *IRFD014PBF |
典型关闭延迟时间 | 13 ns |
功率-最大值 | 1.3W |
功率耗散 | 1300 mW |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 200 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | 4-DIP(0.300",7.62mm) |
封装/箱体 | HexDIP-4 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 2,500 |
汲极/源极击穿电压 | 60 V |
漏极连续电流 | 1.7 A |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.7A (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Dual Drain |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |