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  • 型号: IRFD014PBF
  • 制造商: Vishay
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IRFD014PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFD014PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFD014PBF价格参考。VishayIRFD014PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 60V 1.7A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP。您可以下载IRFD014PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFD014PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRFD014PBF 是 Vishay Siliconix 公司生产的 N 沟道功率 MOSFET,其主要应用场景包括但不限于以下领域:

 1. 开关电源 (SMPS)
   - IRFD014PBF 的低导通电阻(Rds(on))和高电流能力使其非常适合用于开关电源中的功率开关。它可以在高频条件下高效地切换电压和电流,从而减少能量损耗并提高电源转换效率。

 2. 电机驱动
   - 在小型直流电机或步进电机的驱动电路中,IRFD014PBF 可用作电子开关来控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关特性和低导通电阻有助于降低功耗并提高系统的可靠性。

 3. DC-DC 转换器
   - 在 DC-DC 转换器中,IRFD014PBF 可作为主开关或同步整流器使用。其低 Rds(on) 和快速开关速度能够有效减少传导损耗和开关损耗,从而提高转换效率。

 4. 负载开关
   - 在需要动态管理负载的应用中(如消费电子产品或工业设备),IRFD014PBF 可用作负载开关,以实现对不同负载的精确控制。它的低导通电阻可确保在负载切换时的低功耗。

 5. 电池管理系统 (BMS)
   - 在电池管理系统中,IRFD014PBF 可用于保护电路,例如过流保护、短路保护或电池充放电控制。其高电流能力和低导通电阻可以有效减少电池路径上的能量损失。

 6. 逆变器
   - 在小型逆变器应用中,IRFD014PBF 可用于将直流电转换为交流电。它的高效开关性能和良好的热稳定性使其能够在逆变器中稳定运行。

 7. LED 驱动
   - 在大功率 LED 照明系统中,IRFD014PBF 可用于恒流驱动电路,以确保 LED 的亮度稳定且不受输入电压波动的影响。其低导通电阻有助于减少热量产生,提高系统效率。

 8. 汽车电子
   - 在汽车电子应用中(如车载充电器、电动窗控制或座椅加热器等),IRFD014PBF 的高可靠性和耐高温特性使其成为理想选择。

 总结
IRFD014PBF 凭借其优异的电气特性和可靠性,广泛应用于各种功率转换和控制场景。无论是消费电子、工业设备还是汽车电子领域,这款 MOSFET 都能提供高效的功率管理和稳定的性能表现。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIPMOSFET N-Chan 60V 1.7 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

1.7 A

Id-连续漏极电流

1.7 A

品牌

Vishay / Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFD014PBF-

数据手册

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产品型号

IRFD014PBF

Pd-PowerDissipation

1300 mW

Pd-功率耗散

1.3 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

200 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

200 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

50 ns

下降时间

50 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

310pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

11nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

200 毫欧 @ 1A,10V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

4-DIP,Hexdip,HVMDIP

其它名称

*IRFD014PBF

典型关闭延迟时间

13 ns

功率-最大值

1.3W

功率耗散

1300 mW

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

200 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

4-DIP(0.300",7.62mm)

封装/箱体

HexDIP-4

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

汲极/源极击穿电压

60 V

漏极连续电流

1.7 A

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1.7A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single Dual Drain

闸/源击穿电压

+/- 20 V

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