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STB30NM60N产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STB30NM60N由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB30NM60N价格参考。STMicroelectronicsSTB30NM60N封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 600V 25A(Tc) 190W(Tc) D2PAK。您可以下载STB30NM60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STB30NM60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics(意法半导体)的STB30NM60N是一款N沟道增强型功率MOSFET,常用于需要高效能、高可靠性的电源管理和功率转换应用。其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):适用于AC/DC和DC/DC转换器,用于计算机电源、适配器、服务器电源等。 2. 电机控制:用于直流电机驱动、电动工具、工业自动化设备中,实现对电机转速和方向的精确控制。 3. 照明系统:如LED驱动器、高频照明镇流器等,提供高效稳定的电流控制。 4. 汽车电子:用于车载电源系统、电机驱动、电池管理系统(BMS)等对可靠性和效率要求较高的场景。 5. 消费类电子产品:如智能家电、充电器、UPS不间断电源等,实现高效的功率开关控制。 该器件具有低导通电阻、高耐压(600V)、高电流承载能力(30A)等特性,适合高频开关应用,有助于提升系统效率并减少散热设计复杂度。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 25A D2PAKMOSFET N-channel 600V, 25A Power II Mdmesh |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 25 A |
| Id-连续漏极电流 | 25 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STB30NM60NMDmesh™ II |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STB30NM60N |
| Pd-PowerDissipation | 190 W |
| Pd-功率耗散 | 190 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 130 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 130 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 24 ns |
| 下降时间 | 70 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2700pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 91nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 130 毫欧 @ 12.5A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 497-8474-2 |
| 典型关闭延迟时间 | 125 ns |
| 功率-最大值 | 190W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 25A (Tc) |
| 系列 | STB30NM60N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |