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  • 型号: STB30NM60N
  • 制造商: STMicroelectronics
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STB30NM60N产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STB30NM60N由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB30NM60N价格参考。STMicroelectronicsSTB30NM60N封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 600V 25A(Tc) 190W(Tc) D2PAK。您可以下载STB30NM60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STB30NM60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 600V 25A D2PAKMOSFET N-channel 600V, 25A Power II Mdmesh

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

25 A

Id-连续漏极电流

25 A

品牌

STMicroelectronics

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STB30NM60NMDmesh™ II

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产品型号

STB30NM60N

Pd-PowerDissipation

190 W

Pd-功率耗散

190 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

130 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

130 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

24 ns

下降时间

70 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2700pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

91nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

130 毫欧 @ 12.5A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

497-8474-2

典型关闭延迟时间

125 ns

功率-最大值

190W

包装

带卷 (TR)

商标

STMicroelectronics

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1,000

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

25A (Tc)

系列

STB30NM60N

通道模式

Enhancement

配置

Single

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