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Datasheet下载- 型号： IRF4905SPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF4905SPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF4905SPBF价格参考。International RectifierIRF4905SPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 55V 42A（Tc） 170W（Tc） D2PAK。您可以下载IRF4905SPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF4905SPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRF4905SPBF 是一款P沟道、表面贴装的MOSFET，具有高电流和低导通电阻特性，广泛应用于多种电子设备中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和稳压电路中，作为功率开关元件，实现高效电能转换。 2. 电机驱动：适用于小型直流电机或步进电机的控制电路，尤其在需要反向电流保护或H桥驱动结构中表现优异。 3. 负载开关：广泛用于电池供电设备中，如笔记本电脑、移动设备和平板电脑，用作高边或低边开关，控制电源通断，降低功耗。 4. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）和小型逆变器中，用于功率切换和电流控制，提升系统效率与可靠性。 5. 汽车电子：尽管非车规级，但在部分车载辅助设备（如车载充电器、照明控制）中也有应用。 6. 过流与反向电压保护：因其快速响应和低导通损耗，适合用于防止电池反接或过载保护电路。 IRF4905SPBF凭借其-55A大电流能力、-20V耐压及TO-263（D²Pak）封装，兼具散热性能与安装便利性，适合高密度、高效率的工业与消费类电子产品设计。由于其为铅（Pb）-free环保型号（后缀PbF），符合RoHS标准，适用于对环保要求较高的产品。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 55V 42A D2PAKMOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 20mOhms 120nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 74 A |
| Id-连续漏极电流 | - 74 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF4905SPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF4905SPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 200 W |
| Pd-功率耗散 | 200 W |
| Qg-GateCharge | 120 nC |
| Qg-栅极电荷 | 120 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 20 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 20 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 99 ns |
| 下降时间 | 96 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3500pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 180nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 20 毫欧 @ 42A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 典型关闭延迟时间 | 61 ns |
| 功率-最大值 | 170W |
| 功率耗散 | 200 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 20 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 120 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 55 V |
| 漏极连续电流 | - 74 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 42A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf4905slpbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf4905slpbf.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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