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产品简介:
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FQPF4N60 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。它属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别,具有 600V 的高击穿电压和低导通电阻的特点,适用于多种高压应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源 (SMPS) - FQPF4N60 常用于开关电源的设计中,作为主开关管或同步整流管。其高耐压特性使其适合于离线式开关电源(如适配器、充电器)以及 DC-DC 转换器。 - 它能够承受输入电压的波动,并提供高效的能量转换。 2. 电机驱动 - 在电机控制领域,FQPF4N60 可用于驱动小型直流电机、步进电机或无刷直流电机(BLDC)。它的快速开关速度和低导通损耗有助于提高电机效率并减少发热。 - 特别适用于需要高压操作的工业电机控制系统。 3. 逆变器 - 该 MOSFET 适合用于光伏逆变器、UPS(不间断电源)和其他电力电子逆变器系统。它能够实现高效的能量转换,将直流电转换为交流电。 - 其高耐压性能确保了在复杂电网环境下的稳定运行。 4. 负载开关与保护电路 - FQPF4N60 可用作负载开关,用于控制高电压设备的通断状态。它还适用于过流保护、短路保护等场景,确保系统的安全性和可靠性。 - 在汽车电子中,它可以用于电池管理系统(BMS)中的高压开关。 5. 脉宽调制 (PWM) 控制 - 在 PWM 控制电路中,FQPF4N60 可以作为功率级开关,调节输出电压或电流。其快速开关特性和低栅极电荷使其非常适合高频 PWM 应用。 6. 继电器替代 - 由于其可靠的开关性能和长寿命,FQPF4N60 可以替代传统的机械继电器,用于需要频繁切换的高压电路中。 总结 FQPF4N60 凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关能力,在开关电源、电机驱动、逆变器、负载开关、PWM 控制等领域表现出色。它特别适用于需要高压、高效率和高可靠性的应用场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 2.6A TO-220F |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQPF4N60 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 670pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.2 欧姆 @ 1.3A,10V |
供应商器件封装 | TO-220F |
功率-最大值 | 36W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
标准包装 | 1,000 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.6A (Tc) |