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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTK250N10由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTK250N10价格参考。IXYSIXTK250N10封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXTK250N10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTK250N10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTK250N10是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有高电流、高耐压和低导通电阻的特点。其主要参数包括:最大漏源电压(Vds)为100V,连续漏极电流(Id)可达250A,适用于高功率应用场景。 该器件广泛应用于以下领域: 1. 电源转换系统:如DC-DC转换器、开关电源(SMPS),因其高效率和快速开关特性,有助于提升整体能效。 2. 电机驱动:适用于工业自动化、电动汽车、电动工具等电机控制电路,支持大电流负载的稳定运行。 3. 逆变器与UPS系统:在不间断电源和逆变器中作为功率开关,实现电能形式的高效转换。 4. 电池管理系统(BMS):用于高功率电池组的充放电控制,保障系统安全与效率。 5. 工业控制设备:如变频器、伺服驱动器等,适用于需要高可靠性和高负载能力的工业环境。 总结而言,IXTK250N10适用于需要高电流、高效率和高可靠性的电力电子系统,尤其适合在中高功率应用中作为核心功率开关器件使用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 100V 250A TO-264AA |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | IXYS |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IXTK250N10 |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | MegaMOS™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 12700pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 430nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5 毫欧 @ 90A,10V |
供应商器件封装 | TO-264 (IXTK) |
功率-最大值 | 730W |
包装 | 散装 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-264-3,TO-264AA |
标准包装 | 25 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 250A (Tc) |