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FQP13N10L产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP13N10L由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP13N10L价格参考。Fairchild SemiconductorFQP13N10L封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 12.8A(Tc) 65W(Tc) TO-220-3。您可以下载FQP13N10L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQP13N10L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP13N10L 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。该型号具有以下典型应用场景: 1. 开关电源(SMPS) - FQP13N10L 的耐压为 100V,导通电阻低至 0.25Ω(典型值),适合用于中小功率的开关电源设计。 - 可用作同步整流器中的主开关或辅助开关,提高效率并降低功耗。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机驱动中,FQP13N10L 可作为功率开关,控制电机的启停、速度调节和方向切换。 - 其低导通电阻特性有助于减少发热,提升系统的可靠性和效率。 3. 负载开关 - 适用于各种电子设备中的负载开关应用,例如手机充电器、平板电脑、笔记本电脑等。 - 提供快速的开关响应和较低的电压降,确保系统稳定运行。 4. 电池管理 - 在电池保护电路中,FQP13N10L 可用作充放电控制开关,防止过充、过放或短路。 - 其低漏电流特性有助于延长电池寿命。 5. LED 驱动 - 在 LED 照明应用中,FQP13N10L 可用于恒流源电路,实现对 LED 的亮度调节和保护。 - 支持 PWM 调光功能,提供灵活的亮度控制。 6. 信号放大与缓冲 - 在一些需要低失真、高效率的信号放大场景中,FQP13N10L 可用作缓冲级或驱动级元件。 - 适用于音频放大器、传感器信号调理等场合。 7. 继电器替代 - 在需要频繁开关的场景中,FQP13N100L 可以替代机械继电器,实现更长的使用寿命和更快的响应速度。 - 常见于工业自动化、家电控制等领域。 8. 逆变器与太阳能微逆变器 - 在小型逆变器中,FQP13N10L 可用于 DC-AC 转换电路,支持可再生能源系统的能量转换。 - 特别适合低功率的太阳能微逆变器应用。 总结 FQP13N10L 凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域。其低导通电阻、快速开关特性和高耐压能力使其成为许多功率管理应用的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 12.8 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP13N10LQFET® |
数据手册 | |
产品型号 | FQP13N10L |
Pd-PowerDissipation | 65 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 180 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
上升时间 | 220 ns |
下降时间 | 72 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 520pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 180 毫欧 @ 6.4A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220 |
典型关闭延迟时间 | 22 ns |
功率-最大值 | 65W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 1.800 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 9.5 S |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12.8A (Tc) |
系列 | FQP13N10 |
配置 | Single |
零件号别名 | FQP13N10L_NL |