图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: FQP13N10L
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

FQP13N10L产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQP13N10L由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP13N10L价格参考。Fairchild SemiconductorFQP13N10L封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 12.8A(Tc) 65W(Tc) TO-220-3。您可以下载FQP13N10L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQP13N10L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQP13N10L 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。该型号具有以下典型应用场景:

 1. 开关电源(SMPS)
   - FQP13N10L 的耐压为 100V,导通电阻低至 0.25Ω(典型值),适合用于中小功率的开关电源设计。
   - 可用作同步整流器中的主开关或辅助开关,提高效率并降低功耗。

 2. 电机驱动
   - 在小型直流电机驱动中,FQP13N10L 可作为功率开关,控制电机的启停、速度调节和方向切换。
   - 其低导通电阻特性有助于减少发热,提升系统的可靠性和效率。

 3. 负载开关
   - 适用于各种电子设备中的负载开关应用,例如手机充电器、平板电脑、笔记本电脑等。
   - 提供快速的开关响应和较低的电压降,确保系统稳定运行。

 4. 电池管理
   - 在电池保护电路中,FQP13N10L 可用作充放电控制开关,防止过充、过放或短路。
   - 其低漏电流特性有助于延长电池寿命。

 5. LED 驱动
   - 在 LED 照明应用中,FQP13N10L 可用于恒流源电路,实现对 LED 的亮度调节和保护。
   - 支持 PWM 调光功能,提供灵活的亮度控制。

 6. 信号放大与缓冲
   - 在一些需要低失真、高效率的信号放大场景中,FQP13N10L 可用作缓冲级或驱动级元件。
   - 适用于音频放大器、传感器信号调理等场合。

 7. 继电器替代
   - 在需要频繁开关的场景中,FQP13N100L 可以替代机械继电器,实现更长的使用寿命和更快的响应速度。
   - 常见于工业自动化、家电控制等领域。

 8. 逆变器与太阳能微逆变器
   - 在小型逆变器中,FQP13N10L 可用于 DC-AC 转换电路,支持可再生能源系统的能量转换。
   - 特别适合低功率的太阳能微逆变器应用。

 总结
FQP13N10L 凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域。其低导通电阻、快速开关特性和高耐压能力使其成为许多功率管理应用的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

12.8 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP13N10LQFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet

产品型号

FQP13N10L

Pd-PowerDissipation

65 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

180 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

上升时间

220 ns

下降时间

72 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

520pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

12nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

180 毫欧 @ 6.4A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220

典型关闭延迟时间

22 ns

功率-最大值

65W

包装

管件

单位重量

1.800 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

9.5 S

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

12.8A (Tc)

系列

FQP13N10

配置

Single

零件号别名

FQP13N10L_NL

推荐商品

型号:RMW200N03TB

品牌:Rohm Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:STD4NK50ZT4

品牌:STMicroelectronics

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:SUM110N04-03P-E3

品牌:Vishay Siliconix

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:SI4102DY-T1-E3

品牌:Vishay Siliconix

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:TK100E10N1,S1X

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:STY130NF20D

品牌:STMicroelectronics

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:AOD2N60A

品牌:Alpha & Omega Semiconductor Inc.

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:SI7495DP-T1-E3

品牌:Vishay Siliconix

产品名称:分立半导体产品

获取报价

样品试用

万种样品免费试用

去申请
FQP13N10L 相关产品

STP30N65M5

品牌:STMicroelectronics

价格:

FQA13N50

品牌:ON Semiconductor

价格:

SI7114DN-T1-E3

品牌:Vishay Siliconix

价格:

STB28NM60ND

品牌:STMicroelectronics

价格:

MCH3481-TL-H

品牌:ON Semiconductor

价格:

BUK9222-55A/C1,118

品牌:NXP USA Inc.

价格:

NTK3142PT1G

品牌:ON Semiconductor

价格:

2N7002W

品牌:ON Semiconductor

价格:¥0.33-¥0.33