ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > CSD13202Q2
Datasheet下载- 型号： CSD13202Q2
- 制造商： Texas Instruments
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD13202Q2由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD13202Q2价格参考。Texas InstrumentsCSD13202Q2封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 12V 22A（Ta） 2.7W（Ta） 6-WSON（2x2）。您可以下载CSD13202Q2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD13202Q2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD13202Q2是德州仪器（Texas Instruments）推出的一款N沟道功率MOSFET，属于低电压、小封装的高性能器件。其主要应用场景集中在便携式电子设备和高效电源管理系统中。 该器件常用于同步整流、负载开关、电池管理及DC-DC转换电路中，特别适用于要求高效率和低功耗的系统。由于其导通电阻极低（典型值约9.8mΩ），能有效减少导通损耗，提升整体能效。同时，CSD13202Q2采用SON 2mm×2mm小型化封装，节省PCB空间，非常适合对尺寸敏感的应用，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网终端等。 此外，它也广泛应用于热插拔控制器、电源路径管理和电机驱动模块中，能够在12V至20V的栅极驱动电压下稳定工作，具备良好的开关性能和可靠性。得益于TI先进的工艺技术，该MOSFET在高温环境下仍保持优良的热稳定性，适合工业级应用需求。 综上所述，CSD13202Q2凭借其小尺寸、低导通电阻和高效率特性，广泛服务于消费电子、工业控制和便携式电源系统等领域，是现代紧凑型电源设计中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 12V 76A 6SON |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | CSD13202Q2 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | NexFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 997pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9.3 毫欧 @ 5A， 4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-SON（2x2） |
| 功率-最大值 | 2.7W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-VDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 22A （Ta） |
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