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  • 型号: FQD6N25TM
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FQD6N25TM产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQD6N25TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD6N25TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD6N25TM封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 250V 4.4A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) D-Pak。您可以下载FQD6N25TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQD6N25TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQD6N25TM 是一款由 ON Semiconductor 提供的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括:

1. 开关电源 (SMPS):  
   FQD6N25TM 的高电压耐受能力(250V)使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用,例如 DC-DC 转换器、反激式变换器和升压/降压电路。

2. 电机驱动:  
   该 MOSFET 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,作为开关元件控制电机的启停、速度和方向。

3. 逆变器:  
   在太阳能逆变器或其他类型的功率逆变器中,FQD6N25TM 可用作功率级开关,实现高效的电能转换。

4. 负载开关:  
   由于其低导通电阻(Rds(on) 典型值为 0.38Ω),FQD6N25TM 可以在负载开关应用中减少功率损耗,提高系统效率。

5. 保护电路:  
   它可以用作过流保护或短路保护的开关元件,确保电路在异常情况下安全断开。

6. 音频放大器:  
   在某些功率音频放大器设计中,FQD6N25TM 可用作输出级的开关元件,提供高效且稳定的功率输出。

7. 工业自动化与控制:  
   在工业设备中,如可编程逻辑控制器 (PLC) 或传感器接口,该 MOSFET 可用于信号隔离和功率切换。

8. 汽车电子:  
   尽管 FQD6N25TM 不是专门为汽车设计,但其性能参数适合一些非关键车载应用,例如车灯控制、风扇控制或继电器替代。

总的来说,FQD6N25TM 凭借其较高的电压耐受能力和较低的导通电阻,在需要高效功率切换和控制的应用中表现出色,适用于广泛的消费电子、工业和汽车领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAKMOSFET 250V N-Channel QFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

4.4 A

Id-连续漏极电流

4.4 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQD6N25TMQFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet

产品型号

FQD6N25TM

Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

1 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

1 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

250 V

Vds-漏源极击穿电压

250 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

65 ns

下降时间

30 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

300pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

8.5nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1 欧姆 @ 2.2A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-252,(D-Pak)

其它名称

FQD6N25TM-ND
FQD6N25TMFSTR

典型关闭延迟时间

7.5 ns

功率-最大值

2.5W

包装

带卷 (TR)

单位重量

260.370 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

正向跨导-最小值

2.3 S

漏源极电压(Vdss)

250V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4.4A (Tc)

系列

FQD6N25

通道模式

Enhancement

配置

Single

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