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FQD6N25TM产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD6N25TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD6N25TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD6N25TM封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 250V 4.4A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) D-Pak。您可以下载FQD6N25TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQD6N25TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD6N25TM 是一款由 ON Semiconductor 提供的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括: 1. 开关电源 (SMPS): FQD6N25TM 的高电压耐受能力(250V)使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用,例如 DC-DC 转换器、反激式变换器和升压/降压电路。 2. 电机驱动: 该 MOSFET 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,作为开关元件控制电机的启停、速度和方向。 3. 逆变器: 在太阳能逆变器或其他类型的功率逆变器中,FQD6N25TM 可用作功率级开关,实现高效的电能转换。 4. 负载开关: 由于其低导通电阻(Rds(on) 典型值为 0.38Ω),FQD6N25TM 可以在负载开关应用中减少功率损耗,提高系统效率。 5. 保护电路: 它可以用作过流保护或短路保护的开关元件,确保电路在异常情况下安全断开。 6. 音频放大器: 在某些功率音频放大器设计中,FQD6N25TM 可用作输出级的开关元件,提供高效且稳定的功率输出。 7. 工业自动化与控制: 在工业设备中,如可编程逻辑控制器 (PLC) 或传感器接口,该 MOSFET 可用于信号隔离和功率切换。 8. 汽车电子: 尽管 FQD6N25TM 不是专门为汽车设计,但其性能参数适合一些非关键车载应用,例如车灯控制、风扇控制或继电器替代。 总的来说,FQD6N25TM 凭借其较高的电压耐受能力和较低的导通电阻,在需要高效功率切换和控制的应用中表现出色,适用于广泛的消费电子、工业和汽车领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAKMOSFET 250V N-Channel QFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 4.4 A |
Id-连续漏极电流 | 4.4 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQD6N25TMQFET® |
数据手册 | |
产品型号 | FQD6N25TM |
Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
Pd-功率耗散 | 2.5 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 1 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 250 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 65 ns |
下降时间 | 30 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 300pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.5nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1 欧姆 @ 2.2A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-252,(D-Pak) |
其它名称 | FQD6N25TM-ND |
典型关闭延迟时间 | 7.5 ns |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 带卷 (TR) |
单位重量 | 260.370 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 2,500 |
正向跨导-最小值 | 2.3 S |
漏源极电压(Vdss) | 250V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.4A (Tc) |
系列 | FQD6N25 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |