Datasheet下载- 型号： FQD6N50CTM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD6N50CTM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD6N50CTM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD6N50CTM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQD6N50CTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD6N50CTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD6N50CTM 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。该型号的主要应用场景包括： 1. 开关电源 (SMPS) 该 MOSFET 适用于开关电源中的高频开关应用，例如 DC-DC 转换器和 AC-DC 适配器。其 500V 的高击穿电压使其适合高压环境下的功率转换。 2. 电机驱动 FQD6N50CTM 可用于小型电机驱动电路中，如家用电器、电动工具和工业自动化设备中的电机控制。其低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关特性有助于提高效率并降低功耗。 3. 逆变器 在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，这款 MOSFET 可作为开关元件，将直流电转换为交流电。其高耐压能力确保了在高压条件下的稳定运行。 4. 电磁阀和继电器驱动 该器件可用于驱动电磁阀或继电器，尤其是在需要高电压驱动的场合。其坚固的设计能够承受负载瞬态电压。 5. 电池管理系统 (BMS) FQD6N50CTM 适用于电池保护电路，用作充电/放电路径的开关。其低导通电阻可减少电池系统中的能量损耗。 6. LED 驱动器 在高亮度 LED 照明应用中，该 MOSFET 可用于恒流驱动电路，提供高效的电流调节功能。 7. 负载开关 它可以用作负载开关，控制各种电子设备中的电源分配，同时减少开关过程中的能量损失。 8. 汽车电子 由于其高耐压特性和可靠性，FQD6N50CTM 还适用于汽车电子系统中的电源管理和电机控制应用，例如电动车窗、雨刷器和座椅调节系统。 总结来说，FQD6N50CTM 凭借其高电压承受能力、低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于电力电子领域中的开关、驱动和控制场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAKMOSFET 500V N-Channel Adv Q-FET C-Series |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.5 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQD6N50CTMQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQD6N50CTM |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.2 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.2 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 35 ns |
| 下降时间 | 45 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.2 欧姆 @ 2.25A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | FQD6N50CTMDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 55 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 1.2 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 4.5 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 500 V |
| 漏极连续电流 | 4.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A （Tc） |
| 系列 | FQD6N50 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FQD6N50CTM_NL |
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