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  • 型号: PMZ390UN,315
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PMZ390UN,315产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PMZ390UN,315由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMZ390UN,315价格参考¥0.39-¥0.39。NXP SemiconductorsPMZ390UN,315封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 30V 1.78A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount DFN1006-3。您可以下载PMZ390UN,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMZ390UN,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 的 PMZ390UN,315 是一款P沟道MOSFET,属于晶体管中的FET类别。该器件采用无铅、小型SOT23封装,具有低导通电阻和高开关效率,适用于空间受限且对能效要求较高的便携式电子设备。

典型应用场景包括:  
1. 电源管理:常用于电池供电设备中的负载开关或电源通断控制,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,有效降低待机功耗。  
2. 信号切换:在各类消费电子产品中实现信号路径的切换与隔离,提升系统稳定性。  
3. DC-DC转换电路:作为同步整流或电平转换元件,提高电源转换效率。  
4. 电机驱动与LED驱动:适用于小型直流电机控制及低功率LED照明驱动电路,具备良好的热稳定性和可靠性。  
5. 工业与汽车电子辅助系统:用于传感器模块、车载信息娱乐系统等对可靠性和温度范围有一定要求的场景。

PMZ390UN,315凭借其小尺寸、低功耗和高可靠性,广泛应用于便携式设备、消费类电子及部分工业控制领域,是实现高效能、小型化设计的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 1.78A SOT883MOSFET MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

1.78 A

Id-连续漏极电流

1.78 A

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMZ390UN,315TrenchMOS™

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产品型号

PMZ390UN,315

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

460 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

460 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

上升时间

7.5 ns

下降时间

4.5 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

950mV @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

43pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

0.89nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

460 毫欧 @ 200mA,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-883

其它名称

568-7442-1

典型关闭延迟时间

18 ns

功率-最大值

2.5W

包装

剪切带 (CT)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-101,SOT-883

封装/箱体

SC-101-3

工厂包装数量

10000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1.78A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

PMZ390UN T/R

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