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产品简介:
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Vishay Siliconix 的 SI1022R-T1-E3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于电源管理和负载开关等应用场景。该器件具有低导通电阻、高可靠性和小型封装,适用于对空间和效率有要求的电路设计。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:在电池供电设备中,如笔记本电脑、平板电脑和智能手机中作为电源开关,实现高效能和低功耗。 2. 负载开关:用于控制电源到外围设备(如USB接口、显示屏、硬盘等)的通断,防止过载或短路损坏主系统。 3. DC-DC转换器:在同步整流器中作为高边或低边开关,提高转换效率。 4. 马达控制:在小型电机驱动电路中,作为开关元件控制电机启停或方向。 5. 工业控制系统:如PLC、传感器模块、自动化设备中用于信号和电源的切换。 6. 汽车电子:用于车载电源系统、LED照明控制、车载充电器等,满足汽车环境对稳定性和可靠性的要求。 该MOSFET采用SOT-223封装,适合表面贴装,便于自动化生产。由于其良好的热稳定性和低导通损耗,适用于中低功率开关应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SI1022R-T1-E3 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | TrenchFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 30pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.6nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.25 欧姆 @ 500mA,10V |
供应商器件封装 | SC-75A |
其它名称 | SI1022R-T1-E3DKR |
功率-最大值 | 250mW |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-75A |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 330mA (Ta) |