Datasheet下载- 型号： SI1471DH-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1471DH-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1471DH-T1-GE3价格参考。VishaySI1471DH-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI1471DH-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1471DH-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI1471DH-T1-GE3是一款P沟道增强型MOSFET，采用1.2mm × 1.2mm微型DFN封装，具有低导通电阻（RDS(on)）和高功率密度，适用于空间受限的便携式电子设备。该器件主要应用于负载开关、电源管理、电池供电系统及电压转换电路中。 常见应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备等消费类电子产品中的电源开关控制，用于实现对不同功能模块（如显示屏、摄像头、传感器）的上电与断电管理，以降低待机功耗，提升能效。此外，它也适用于热插拔电路和过流保护设计，因其快速响应特性和低导通损耗，有助于提高系统稳定性和可靠性。 SI1471DH-T1-GE3支持逻辑电平驱动，栅极阈值电压较低，可直接由3.3V或1.8V控制信号驱动，简化了与数字控制器（如MCU或电源管理IC）的接口设计。其高集成度和小尺寸封装使其成为高密度PCB布局的理想选择，广泛用于移动设备和便携式医疗设备中的高效电源切换方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI1471DH-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.6V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 445pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100 毫欧 @ 2A，10V |
| 供应商器件封装 | SC-70-6 （SOT-363） |
| 其它名称 | SI1471DH-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 2.78W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.7A （Tc） |
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