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IRLL110TRPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLL110TRPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLL110TRPBF价格参考¥2.01-¥2.01。VishayIRLL110TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 100V 1.5A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223。您可以下载IRLL110TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLL110TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix生产的IRLL110TRPBF是一款N沟道增强型功率MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET)类别。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性,适用于多种中低功率开关应用。 其典型应用场景包括:便携式电子设备中的电源管理,如手机、平板电脑和笔记本电脑的电池保护电路;DC-DC转换器,用于电压升降压调节,提升电源效率;电机驱动电路,广泛应用于小型家电、电动工具和汽车电子系统中的风扇或泵控制;此外,也常用于逆变器、UPS不间断电源和LED驱动电源中,实现高效电能转换。 IRLL110TRPBF采用SOT-223封装,便于散热,适合紧凑型设计,同时符合RoHS标准,无铅环保。其耐压为60V,最大持续漏极电流可达5.4A,适合在中等电流条件下工作。由于具备快速开关特性和较低的栅极电荷,有助于减少开关损耗,提高系统整体能效。 综上,IRLL110TRPBF广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子及电源管理系统中,是中小功率开关电路中的可靠选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.5 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRLL110TRPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLL110TRPBFIRLL110TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 540 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 540 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 上升时间 | 47 ns |
| 下降时间 | 18 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 250pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.1nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 540 毫欧 @ 900mA,5V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | IRLL110PBFTR |
| 典型关闭延迟时间 | 16 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 功率耗散 | 2 W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 540 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 1.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.5A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 闸/源击穿电压 | +/- 10 V |