Datasheet下载- 型号： PSMN2R1-40PLQ
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN2R1-40PLQ由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN2R1-40PLQ价格参考。NXP SemiconductorsPSMN2R1-40PLQ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN2R1-40PLQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN2R1-40PLQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN2R1-40PLQ 是 NXP（恩智浦）推出的高性能 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 LFPAK56（Power-SO8）封装，具有超低导通电阻（RDS(on) 典型值仅 2.1 mΩ @ VGS = 10 V，4.0 mΩ @ 4.5 V）、高电流能力（ID 高达 120 A）和优异的热性能。其主要应用场景包括： - 高效DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流、Buck/Boost 转换器主开关或ORing电路，显著降低导通损耗，提升能效。 - 电机驱动与负载开关：适用于无人机电调（ESC）、BLDC 电机控制、电动工具、家电（如吸尘器、风扇）中的H桥驱动或高侧/低侧开关，支持快速开关与大电流脉冲。 - 电池管理系统（BMS）与电源保护：用于锂电池组的充放电保护电路（如过流/短路保护开关）、热插拔（Hot-swap）及电子保险丝（eFuse），得益于其低RDS(on) 和强雪崩耐受能力。 - LED照明驱动：在高功率LED恒流驱动或调光模块中用作PWM开关，实现高效、低发热控制。 该器件支持逻辑电平驱动（兼容3.3V/5V MCU），集成优化的体二极管，具备良好的抗dv/dt噪声能力和鲁棒的ESD防护（HBM > 2 kV），适合高可靠性、高功率密度的紧凑型设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N CH 40V 150A TO-220MOSFET N-Channel MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 150 A |
| Id-连续漏极电流 | 150 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS不受无铅要求限制 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN2R1-40PLQ- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN2R1-40PLQ |
| Pd-PowerDissipation | 293 W |
| Pd-功率耗散 | 293 W |
| Qg-GateCharge | 168.9 nC |
| Qg-栅极电荷 | 168.9 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.1 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.1 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.45 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.45 V |
| 上升时间 | 96 ns |
| 下降时间 | 92 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9584pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 87.8nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.2 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-10163-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 151 ns |
| 功率-最大值 | 293W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 150A （Tmb） |
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