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Datasheet下载- 型号： PSMN1R1-30EL,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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PSMN1R1-30EL,127产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN1R1-30EL,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN1R1-30EL,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN1R1-30EL,127封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 30V 120A（Tc） 338W（Tc） I2PAK。您可以下载PSMN1R1-30EL,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN1R1-30EL,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN1R1-30EL,127 是 NXP USA Inc. 推出的高性能 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 LFPAK56（Power-SO8）封装，具有极低导通电阻（RDS(on) 典型值仅 1.1 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID 高达 120 A）及优异的热性能。其主要应用场景包括： - 高效电源系统：广泛用于服务器、通信设备和工业电源中的同步整流、DC-DC 转换器（如 POL 模块、VRM）及 OR-ing 电路，显著降低导通损耗，提升能效。 - 电机驱动与负载开关：适用于 BLDC 电机控制器、电动工具、无人机电调及大电流负载开关（如电池保护、热插拔电路），得益于快速开关特性和强抗雪崩能力。 - 汽车电子（符合AEC-Q101）：可用于车载 DC-DC 变换器、LED 照明驱动、车身控制模块（BCM）中的高侧/低侧开关等严苛环境应用。 - 可再生能源设备：在光伏逆变器、储能系统（ESS）的功率级中承担主开关或旁路功能，支持高可靠性与长期稳定运行。 该器件支持逻辑电平驱动（4.5 V 即可充分导通），兼容主流 MCU 和栅极驱动器，简化设计；LFPAK 封装兼具小尺寸与优异散热性，适合高功率密度布局。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 120A I2PAKMOSFET N-Ch 30V 1.3 mOhms |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 120 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN1R1-30EL,127- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN1R1-30EL,127 |
| Pd-PowerDissipation | 338 W |
| Pd-功率耗散 | 338 W |
| Qg-GateCharge | 243 nC |
| Qg-栅极电荷 | 243 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.3 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.7 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 14850pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 243nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.3 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | 568-6715 |
| 功率-最大值 | 338W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 1.3 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 封装/箱体 | I2PAK-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 120 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tmb） |
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