Datasheet下载- 型号： IPB110N06L G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB110N06L G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB110N06L G价格参考。InfineonIPB110N06L G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPB110N06L G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB110N06L G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌）的IPB110N06L G是一款N沟道MOSFET，属于低压功率MOSFET系列，具有低导通电阻（RDS(on)）和高效率特性。该器件广泛应用于需要高效开关和低功耗管理的场景。 主要应用场景包括： 1. 电源管理系统：适用于DC-DC转换器、同步整流电源模块等，尤其在笔记本电脑、主板供电和嵌入式系统中提供高效电压调节。 2. 电机驱动：常用于小型直流电机、步进电机驱动电路，如电动工具、家用电器（风扇、洗衣机）和工业自动化设备中，实现快速开关与低损耗控制。 3. 电池供电设备：因其低导通电阻和高效率，适合用于便携式设备（如移动电源、充电宝、电动自行车控制器）中的负载开关或电池保护电路。 4. 照明系统：在LED驱动电源中作为开关元件，提升能效并减少发热。 5. 汽车电子：用于车载辅助系统，如车窗升降器、座椅调节、风扇控制等小功率负载驱动，具备良好的温度稳定性和可靠性。 IPB110N06L G采用PG-HSOF-5封装，适合表面贴装，节省PCB空间，同时支持高电流承载能力（高达110A），结合其60V耐压和优化的栅极电荷特性，使其在高频开关应用中表现优异。整体上，该MOSFET适用于追求高效率、小型化和可靠性的中低电压功率控制场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 78A TO-263MOSFET N-CH 60V 78A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 78 A |
| Id-连续漏极电流 | 78 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPB110N06L GOptiMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPB_P110N06L+G+Rev1.03.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dc9ff48f0 |
| 产品型号 | IPB110N06L G |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 158 W |
| Pd-功率耗散 | 158 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 11 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 11 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 19 ns |
| 下降时间 | 18 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 94µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2700pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 79nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11 毫欧 @ 78A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
| 其它名称 | IPB110N06LGINDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 45 ns |
| 功率-最大值 | 158W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 78A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | IPB110N06LGXT |
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